离子取代 低聚物 (A) B) (C) (D) 以上这种在Na2O的作用下，使架状SiO4断裂的过程 称为熔融石英的分化过程。分化的结果，在熔体中形成 了各种聚合程度的聚合物
低聚物 以上这种在 Na2O 的作用下，使架状 [SiO4 ] 断裂的过程 称为熔融石英的分化过程。分化的结果，在熔体中形成 了各种聚合程度的聚合物。 离子取代
各种低聚物生成量和高聚物残存量由熔体总组成和温 度等因素决定。 在熔融过程中随时间延长，温度上升，不同聚合程度的聚合物 发生变形。一般链状聚合物易发生围绕S-0轴转动同时弯曲。 层状聚合物则使层本身发生褶皱、翘曲；架状聚合物热缺陷增 多，同时Si-O-Si键角发生变化。 ◆缩聚：由分化过程产生的低聚物不是一成不变的， 它可以相互发生作用，形成级次较高的聚合物，同时 释放出部分Na20
各种低聚物生成量和高聚物残存量由熔体总组成和温 度等因素决定。 在熔融过程中随时间延长，温度上升，不同聚合程度的聚合物 发生变形。一般链状聚合物易发生围绕 Si-O 轴转动同时弯曲。 层状聚合物则使层本身发生褶皱、翘曲；架状聚合物热缺陷增 多，同时 Si-O-Si 键角发生变化。 ◆ 缩聚：由分化过程产生的低聚物不是一成不变的， 它可以相互发生作用，形成级次较高的聚合物，同时 释放出部分 Na2O
4.1.2.2影响聚合物聚合程度的因素 硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量)受 组成和温度两个因素的影响。 在熔体组成不变时，各级聚合物的浓度（数量）与温度有关。 熔体中的“三维晶格碎片”随温度变化处在聚合-解聚的平衡。 >在高温时，低聚合物以分立状态存在； >温度降低时有一部分附着在“三维碎片”上，被碎片表面的 断键所固定，产生聚合反应； >如果温度再升高，低聚物又脱离，产生解聚反应
4.1.2.2 影响聚合物聚合程度的因素 硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受 组成和温度两个因素的影响。 在熔体组成不变时，各级聚合物的浓度（数量）与温度有关。 熔体中的“三维晶格碎片”随温度变化处在聚合-解聚的平衡。 ➢ 在高温时，低聚合物以分立状态存在； ➢ 温度降低时有一部分附着在“三维碎片”上，被碎片表面的 断键所固定，产生聚合反应； ➢ 如果温度再升高，低聚物又脱离，产生解聚反应
60 SiO 50 (%)承来米车合膏 40 30 Si201 20 (Si0)4 1100120013001400(℃) 图44硼硅酸盐玻璃熔体中聚合物的分布随温度的变化 由上图可以看出，随着温度升高，低聚物浓度增加，高 聚物[SiO2n的浓度降低
图4-4 硼硅酸盐玻璃熔体中聚合物的分布随温度的变化 由上图可以看出，随着温度升高，低聚物浓度增加，高 聚物 [SiO2 ]n 的浓度降低
R=0/Si 当熔体温度不变时，各 种聚合程度聚合物的浓 104 R=3 度与熔体的组成有关。 R大说明熔体中碱性金 属氧化物含量高，分化 后非桥氧数目多，故而 7654321 低聚物的浓度随之增大 聚合体中含有的〔SiO)数 (数量多)
当熔体温度不变时，各 种聚合程度聚合物的浓 度与熔体的组成有关。 R大说明熔体中碱性金 属氧化物含量高，分化 后非桥氧数目多，故而 低聚物的浓度随之增大 （数量多）。 R＝O/Si