静息膜电位(resting potential) 轴突在静止时，膜外有大量的Na+,少量的K+及许多 有机阴离子，膜内有大量K+,少量Na+和许多阴离子。 K+和CI可以自由通过，而Na+几乎不能通过。形成了 膜内K+浓度高，膜外Na+浓度高。 由于膜内K+浓度高，倾向外流而增加了膜外的正电荷， 膜内由于正电离子渐减少而显示负电荷。 由于异电相吸的原理，形成以膜为中心的静电场，膜 电位为外正内负（-50~-100mV),称为膜电位 (membrane potential)。 静息状态下的膜电位称为静息膜电位(resting potential)
静息膜电位(resting potential) 轴突在静止时，膜外有大量的Na+，少量的K+及许多 有机阴离子，膜内有大量K+ ，少量Na+和许多阴离子。 K+和Cl-可以自由通过，而Na+几乎不能通过。形成了 膜内K﹢浓度高，膜外Na﹢浓度高。 由于膜内K+浓度高，倾向外流而增加了膜外的正电荷, 膜内由于正电离子渐减少而显示负电荷。 由于异电相吸的原理，形成以膜为中心的静电场，膜 电位为外正内负（-50～-100mV） ，称为膜电位 (membrane potential)。 静息状态下的膜电位称为静息膜电位(resting potential)
Na+ ++++++++++++++ 50-100mV 一一一一一一一一 静止时 什十十+十++++十+++十 K+ 兴奋恢复部位 兴奋部位 静止部位 十十十十+ 一 传导 十十+ ++士土士 方向 +十十十+ 十十+++ 兴奋部位 静止部位 轴突部位动作电位图解
Na+ K+
去极化膜电位 当一个刺激在神经膜上传递时，轴突的神 经膜上Na+的通透性产生一个突然而巨大 的增加，在不到1ms的时间内，大量的 Na+进入膜内，膜电位向正电上升。 因动作电位上升打破了原来的极化状态， 进入去极化阶段，形成由正到负的局部 电流回路，该电流沿着一定方向向前传 导，此时的膜电位称去极化膜电位
去极化膜电位 当一个刺激在神经膜上传递时，轴突的神 经膜上Na+的通透性产生一个突然而巨大 的增加，在不到1ms的时间内，大量的 Na+进入膜内，膜电位向正电上升。 因动作电位上升打破了原来的极化状态， 进入去极化阶段，形成由正到负的局部 电流回路，该电流沿着一定方向向前传 导，此时的膜电位称去极化膜电位
超极化和负后电位 当动作电位达到高峰时，Na+通道很快关闭， 通透性急剧下降 由于K+通透性增加，造成更多K+外流在神经 膜外表积聚，形成膜内外的离子浓度差，为调 节神经平衡，K+又内流，这样去极化后就产生 了超极化和负后电位(negative after potential)。 负后电位时间很短，几毫秒内可使电位恢复到 原来的静息电位（图3-6及3-7）
超极化和负后电位 当动作电位达到高峰时，Na+通道很快关闭， 通透性急剧下降。 由于K+通透性增加，造成更多K+外流在神经 膜外表积聚，形成膜内外的离子浓度差，为调 节神经平衡，K+又内流，这样去极化后就产生 了超极化和负后电位(negative after potential)。 负后电位时间很短，几毫秒内可使电位恢复到 原来的静息电位(图3-6及3-7)
动作电位的组成 ENa 0 Em Ek 上升阶段 下降阶段 正极 负后电位 (去极化) (恢复极化) (超极化) BACK 一个刺激引起的动作电位
动作电位的组成 超