电容充放电形成电流: (1)u>0,d/d>0,则>0,q个,正向充电 (电流流向正极板); (2)u>0,dmJdκ<0,则i<0,q,正向放电 (电流由正极板流出) (3)u<0,d/d<0,则<0,q个,反向充电 (电流流向负极板); (4)u<0,dnJd>0,则i>0,q,反向放电 (电流由负极板流出);
电容充放电形成电流： (1) uc>0，duc /dt>0，则i c>0，q ，正向充电 (电流流向正极板)； (2) uc>0，duc /dt<0，则i c<0，q ，正向放电 (电流由正极板流出)； (3) uc<0，duc /dt<0，则ic<0，q，反向充电 (电流流向负极板)； (4) uc<0，duc /dt>0，则ic>0，q ，反向放电 (电流由负极板流出)； C ic uc + – + –
例:如图(a)电路,u(t)波形如图(b),求电流i的波形。 u(t)V lc 0.5 C=2F 12 t(s 0.5 (a) (b)
例：如图(a)电路，u(t)波形如图(b)，求电流ic的波形。 C u(t) + – 2F ic (a) (b) u(t)V 0 1 2 3 4 t(s) 0.5 -0.5
u( 解: d 0.5 由电容的I4R dt d 123/4t(s) 有 =2 0.5 dt 在01s内: (b) d 2 i(tA 2×0.5=1A4 dt 在13s内: =2-,=2×(0.5)=-1A dt 23 4t(s) 在3~5s内: du 2×0.5=1A C dt
(b) u(t)V 0 1 2 3 4 t(s) 0.5 -0.5 (c) i(t)A 0 1 2 3 4 t(s) 1 -1 解： d d c c u V i C t 由电容的 ：AR = d 2 d c c u i t 有： = d 2 2 0.5 1 d c c u i A t = = = 在0 1s内： d 2 2 ( 0.5) 1 d c c u i A t = = − = − 在1 3s内： d 2 2 0.5 1 d c c u i A t = = = 在3 5s内：
2.电容的记忆性: at 微分形式ⅤAR ()=2 idt 积分形式VAR dt=lr idt+ridt =u(t)+Crit dt+lridt l()+12dz 其中: 6)=dr称为电容电压的初始值
2. 电容的记忆性： c c du i C dt = 0 0 0 0 0 0 ( ) ( ) d d 1 1 1 1 d 1 1 d d c c c c c c c c t t t t t t t t u t i i i d C C C u i C i i C C − − − = = + = + = + 0 0 c ( ) 1 c d t u i C = + ( ) d 1 c c t u t i C − = 微分形式VAR 积分形式VAR 0 0 c ( ) 1 d c u i C − = 称为电容电压的 。 初始值 其中：
①:0 idc (b) 具有初始电压的电容 相应的等效电路
u + - i c C (a) 具有初始电压的电容 1 0 d 1 c t u i C = C uc (0) + - + - u + - (b) 相应的等效电路