2.2.4电力二极管的主要类型 ◆肖特基二极管(Schottky Barrier Diode—SBD) 矿属于多子器件 优点在于：反向恢复时间很短（10~40s),正向恢 复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情 况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管；因此， 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率 高。 m弱点在于：当所能承受的反向耐压提高时其正向压降 也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场 合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不 能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。 机械电气工程学院电气教研室 26/89 电力电子技术
26/89 2.2.4 电力二极管的主要类型 ◆肖特基二极管（Schottky Barrier Diode——SBD） ☞属于多子器件 ☞优点在于：反向恢复时间很短（10~40ns），正向恢 复过程中也不会有明显的电压过冲；在反向耐压较低的情 况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管；因此， 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率 高。 ☞弱点在于：当所能承受的反向耐压提高时其正向压降 也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压场 合；反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不 能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度
MBR3035PT MBR3060PT 0203(5.16 Features 0.193(4.90j 0.64516.0 Low power loss,high efficiency. 0.62515.9) 0245(62) 0.0781.982 ·High surge capacity. 0225(5.7 0.323(8.2) 0.3137.9) For use in low voltage,high frequency inverters,free wheeling,and polarity T0-3P/ .1743) IOP TYP 0.8421.3 protection applications. T0-247AD 08220.8 0.1343.4 BOTH SIDES Metal silicon junction,majority carrier 0.1142.9 2 13 0.086(2.18) 0.18(3.0) conduction. 0.0761.93) 0.1082.7) High current capacity,low forward PIN1O 0.164.1) 0.127(3.22) voltage drop. 01435) 0.795(202) 0.1172.97 。 Guard ring for over voltage protection. PIN 3 o- CASE PIN 2 0.77519.7刀 0.048(1.22) 0.0300.76 30 Ampere Schottky Barrier Rectifiers ←0.0441.12) 0.0200.51) 0225(5.7万 Electrical Characteristics T =25C unless otherwise noted Parameter Device Units 3035PT 3045PT 3050PT 3060PT Peak Repetitive Reverse Voltage 35 45 50 60 Maximum RMS Voltage 24 31 35 42 D DC Reverse Voltage (Rated VR) 35 45 50 60 V Voltage Rate of Change(Rated VR) 10,.000 V/uS Maximum Reverse Current rated VR TA=25°C 1.0 5.0 mA TA=125C 60 100 mA Maximum Forward Voltage IF=20 A,Tc=25C - 0.75 V
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2.3半控型器件一晶闸管 2.3.1晶闸管的结构与工作原理 2.3.2晶闸管的基本特性 2.3.3晶闸管的主要参数 2.3.4晶闸管的派生器件 机械电气工程学院电气教研室 28/89 电力电子技术
28/89 2.3 半控型器件——晶闸管 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 晶闸管的基本特性 2.3.3 晶闸管的主要参数 2.3.4 晶闸管的派生器件
2.3半控器件一晶闸管·引言 ★ 晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器 (Silicon Controlled Rectifier-SCR),以前被简称为可控硅。 ■1956年美国贝尔实验室(Bell Laboratories)发明了晶闸管，到 1957年美国通用电气公司(General Electric)开发出了世界上第一只 晶闸管产品，并于1958年使其商业化。 ■由于其能承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高 的，而且工作可靠，因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地 位。 41机nm 晶闸管及模块 机械电气工程学院电气教研室 29/89 电力电子技术
29/89 2.3 半控器件—晶闸管·引言 ■晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器 （Silicon Controlled Rectifier——SCR），以前被简称为可控硅。 ■1956年美国贝尔实验室（Bell Laboratories）发明了晶闸管，到 1957年美国通用电气公司（General Electric）开发出了世界上第一只 晶闸管产品，并于1958年使其商业化。 ■由于其能承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高 的，而且工作可靠，因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地 位。 晶闸管及模块 ★
2.3.1晶闸管的结构与工作原理 ■晶闸管的结构 ◆从外形上来看，晶 闸管也主要有螺栓型 和平板型两种封装结 构 ◆引出阳极A、阴极K A 和门极（控制端）G K 三个联接端。 a 母 g ◆内部是PNPN四层 图2-7晶闸管的外形、结构和电气图形符号 半导体结构。 a)外形b)结构c)电气图形符号 机械电气工程学院电气教研室 30/89 电力电子技术
30/89 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理 ■晶闸管的结构 ◆从外形上来看，晶 闸管也主要有螺栓型 和平板型两种封装结 构 。 ◆引出阳极A、阴极K 和门极（控制端）G 三个联接端。 ◆内部是PNPN四层 半导体结构。 图2-7 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号