2)湿度的影响 Ts=250℃ 湿 10 10-4 Ts=350℃ Ts=400℃ 10 10 100300500700 0.2 温度/℃ 水汽分压/kPa 图67传感器的电导、灵敏度与湿度的关系 a)温度的影响b)湿度的影响 湿
2）湿度的影响 湿
3)催化剂和添加剂的作用 co T=200℃ 一H CHa AIR 出母 CO H 0.1 CaH P的质量分数=15% Pd的质量分数=02% C3Ha 010200300 温度/℃ 温度/℃ 气体含量/10-4% 图69钯含量对温度特性的影响 图6-8催化剂对选择性的影响 a)钯含量15%b)钯含量0.2%
3）催化剂和添加剂的作用
二、 MOSFET气敏传感器 ■将普通Mos管的A金属栅极换成能溶于 氢气(H2)的金属钯(Pd)或铂(Pt)。 ■半导体用P型单晶硅,电阻率129cm Pd栅 A1 Si02 P-Si 图6-10气敏MOS晶体管 的结构图
二、MOSFET气敏传感器 ◼ 将普通MOS管的Al金属栅极换成能溶于 氢气(H2)的金属钯（Pd）或铂（Pt）。 ◼ 半导体用P型单晶硅，电阻率1.2Ω·cm
■氢气→Pd栅膜表面→分解氢原子→被Pd 栅膜和SO2界面吸收→Pd电子功函数 →阈值电压U改变。 设无氢气时的阈值电压为Uo; 有氢气时的阈值电压为Ua, 则反应氢气浓度变化△Ur= Uta- UTO(6-13) 测量环境中有无氧气不同,见书中式6-14 △UM为最大阈值变化量
◼ 氢气→Pd栅膜表面→分解氢原子→被Pd 栅膜和SiO2界面吸收→Pd电子功函数↓ →阈值电压UT改变。 ◼ 设无氢气时的阈值电压为UT0; 有氢气时的阈值电压为Uta, 则反应氢气浓度变化△UT= Uta- UT0 (6-13) *测量环境中有无氧气不同，见书中式6-14 △UM为最大阈值变化量