俄歇电子在从样品浅层表面逃逸过程中没有 能量损耗,因此利用俄歇电子的特征能量可以 确定样品元素的成分,同时能确定样品表面的 化学性质。 结合离子轰击,逐层剥离表面技术,还可以 表征样品在表面下不同深度上的化学性质
俄歇电子在从样品浅层表面逃逸过程中没有 能量损耗，因此利用俄歇电子的特征能量可以 确定样品元素的成分，同时能确定样品表面的 化学性质。 结合离子轰击，逐层剥离表面技术，还可以 表征样品在表面下不同深度上的化学性质
X射线光电子衍射(XPD)和俄歇电子衍射(AED) 单晶或结构的多晶样品被光子或电子轰击后 产生逃逸电子,携带了样品表面的结构信息和 化学信息,XPD和AED的聚焦状况反映了结构 信息,它来源于对断键电子的干涉效应
X射线光电子衍射(XPD)和俄歇电子衍射(AED) 单晶或结构的多晶样品被光子或电子轰击后 产生逃逸电子，携带了样品表面的结构信息和 化学信息，XPD和AED的聚焦状况反映了结构 信息，它来源于对断键电子的干涉效应
当从特定的原子射出的断键电子被固体中近 邻原子散射时,电子原子散射过程强烈地增加 了在前进方向上的电子强度,出现强度的最大 值的方向对应于原子列方向。 能量频散的角分辨分析可以测绘出所感兴趣 的元素在不同角度上的强度分布
当从特定的原子射出的断键电子被固体中近 邻原子散射时，电子 -原子散射过程强烈地增加 了在前进方向上的电子强度，出现强度的最大 值的方向对应于原子列方向。 能量频散的角分辨分析可以测绘出所感兴趣 的元素在不同角度上的强度分布
光电子发射显微技术PEEM) 光电子发射显微技术是X射线光电子谱的一个 变种,通过使用具有不同放大率的物镜组合和 个微通道平面二次电子放大器,可使样品表面发 射中心的空间分布在荧光屏上成像。 荧光屏上的光强分布通常是用光导摄像管照相 机或阴极射线管显示器加取景器来记录的。用微 机进行数字图像存储
光电子发射显微技术(PEEM) 光电子发射显微技术是 X射线光电子谱的一个 变种，通过使用具有不同放大率的物镜组合和一 个微通道平面二次电子放大器，可使样品表面发 射中心的空间分布在荧光屏上成像。 荧光屏上的光强分布通常是用光导摄像管照相 机或阴极射线管显示器加取景器来记录的。用微 机进行数字图像存储
在低分辨情况下,将入射光源聚焦到一点,并 利用这一小光点在整个样品表面扫描,或用样品 对处于静止状态的光点扫描。 通过调节物镜,成像范围可低至⑩0μm,这时 物镜通常是浸没透镜。 通过改变样品上的偏压和透镜电压,我们可以 分析在透镜上成像的电子能量
在低分辨情况下，将入射光源聚焦到一点，并 利用这一小光点在整个样品表面扫描，或用样品 对处于静止状态的光点扫描。 通过调节物镜，成像范围可低至l0μm，这时 物镜通常是浸没透镜。 通过改变样品上的偏压和透镜电压，我们可以 分析在透镜上成像的电子能量