TH H 2章双极型晶体管及其放大电路 Aic/mA 40uA 4 放 饱和区 30u A 大 20HA 区 lOHA OHA B CBO 0 截止区 图2-5共射输出特性曲线
第2章 双极型晶体管及其放大电路 uCE 5 10 15 /V 0 1 2 3 4 饱 和 区 截止区 I B ＝40μ A 30μ A 20μ A 10μ A 0μ A i B ＝ －I CBO 放 大 区 i C /mA uCE ＝uBE 图2–5 共射输出特性曲线
TH H 2章双极型晶体管及其放大电路 (1)基极电流i对集电极电流c有很强的控制作用, 即有很小的变化量△b时,ic就会有很大的变化量△lc 为此,用共发射极交流电流放大系数B来表示这种控制 能力。B定义为 B △42=常数 (2-10) 反映在特性曲线上,为两条不同/曲线的间隔
第2章 双极型晶体管及其放大电路 (1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用， 即iB有很小的变化量ΔIB时， iC就会有很大的变化量ΔIC。 为此，用共发射极交流电流放大系数β来表示这种控制 能力。β定义为 =常数 = E u B C I I (2–10) 反映在特性曲线上，为两条不同IB曲线的间隔
TH H 2章双极型晶体管及其放大电路 (2)lc变化对l的影响很小。在特性曲线上表现为 i一定而lcε增大时,曲线略有上翘(i略有增大)。这是 因为c增大,c结反向电压增大,使c结展宽,所以有 效基区宽度变窄,这样基区中电子与空穴复合的机会 减少,即i要减小。而要保持i不变,所以i将略有增 大。这种现象称为基区宽度调制效应,或简称基调效 应。从另一方面看,由于基调效应很微弱,lcE在很大 范围内变化时l基本不变。因此,当lB一定时,集电极 电流具有恒流特性
第2章 双极型晶体管及其放大电路 (2) uCE变化对IC的影响很小。在特性曲线上表现为， iB一定而uCE增大时，曲线略有上翘(iC略有增大)。这是 因为uCE增大，c结反向电压增大，使c结展宽，所以有 效基区宽度变窄，这样基区中电子与空穴复合的机会 减少，即iB要减小。而要保持iB不变，所以iC将略有增 大。这种现象称为基区宽度调制效应，或简称基调效 应。从另一方面看，由于基调效应很微弱， uCE在很大 范围内变化时IC基本不变。因此，当IB一定时，集电极
TH H 2章双极型晶体管及其放大电路 2饱和区 e结和c结均处于正偏的区域为饱和区。通常把 lcr=ln(即c结零偏)的情况称为临界饱和,对应点的轨 迹为临界饱和线
第2章 双极型晶体管及其放大电路 2 e结和c结均处于正偏的区域为饱和区。通常把 uCE =uBE(即c结零偏)的情况称为临界饱和，对应点的轨 迹为临界饱和线
TH H 2章双极型晶体管及其放大电路 二、共发射极输入特性曲线 测量电路见图2-4。共射输入特性曲线是以ucε为 参变量时,d与l间的关系曲线,即 =f(n)y=常数 典型的共发射极输入特性曲线如图26所示
第2章 双极型晶体管及其放大电路 二、共发射极输入特性曲线 测量电路见图2–4。共射输入特性曲线是以uCE为 参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 典型的共发射极输入特性曲线如图2–6所示。 i B = f (uBE ) uC E =常数