@ 导致宽化的因素 仪器 Peak Broadening 晶粒尺寸 -0.5~10 micron instrumental component ·微观应变 + strain/particle size 如何区分和解析导致宽化的因素？ 材料科学与工程学院 6 School of Materials Science and Engineering
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 导致宽化的因素 • 仪器 • 晶粒尺寸 – 0.5~10 micron • 微观应变 6 如何区分和解析导致宽化的因素？
图 衍射谱线形分析 ·定义阝=峰宽 Bobserved-Binstrumental +Bstrain and particle size ·阝。=B+B Gaussian ·B,=β。-B;(Lorentzian) -·,Lorentzian ·B,2=β2-β，2(Gaussian) FWHM ·B=VB。-B)VB-P) 20。 材料科学与工程学院 7 School of Materials Science and Engineering
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 衍射谱线形分析 7 • 定义 = 峰宽 • observed = instrumental + strain and particle size • o = i + r • r = o - i (Lorentzian) • r 2 = o 2 - i 2 (Gaussian) •
© 晶粒尺寸导致的宽化 晶粒尺寸：2~300nm Scherrer公式： max 2 D= 白B= Kisusjul Bcos0 D cos 0 D=grain diameter 20 20320 B=peak width in radians at FWHM after 20 correcting for instrumental broadening k=0.9 to 1.0 depending upon grain shape Actually,k:0.89~1.39 材料科学与工程学院 8 School of Materials Science and Engineering
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 晶粒尺寸导致的宽化 • 晶粒尺寸：2~300nm • Scherrer公式： 8 Actually, k: 0.89~1.39
图 微观应变导致的宽化 在X射线辐照区域内，无数个亚晶块参与衍射，有的亚晶 块受拉，有的亚晶块受压。各亚晶块同族晶面具有一系 列不同的晶面间距，衍射线的总和将合成一定范围内的 宽化谱线。 aimn=刃tand B Strain in material 材料科学与工程学院 9 School of Materials Science and Engineering
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 微观应变导致的宽化 9 在X射线辐照区域内，无数个亚晶块参与衍射，有的亚晶 块受拉，有的亚晶块受压。各亚晶块同族晶面具有一系 列不同的晶面间距，衍射线的总和将合成一定范围内的 宽化谱线
图 纳米晶晶粒尺寸 B.=BparticleBstrain Kλ B,= +ntanθ XEW Dcose ↓ Bpartiele size 2-- A0= +nsinO Bstrain 0 50 100 150 20 材料科学与工程学院 10 School of Materials Science and Engineering
材料科学与工程学院 School of Materials Science and Engineering 纳米晶晶粒尺寸 10