4.2.1高分辨像形成过程描述的两个重要函数 0 8 空间频率/nm 图6.11加速电压200kV(虚线)和400kV(实线)电子显微镜在 谢尔策聚焦条件下物镜的衬度
4.2.1 高分辨像形成过程描述的两个重要函数 图6.11 加速电压200kV（虚线）和400kV（实线）电子显微镜在 谢尔策聚焦条件下物镜的衬度
4.2.2弱相位体高分辨像的直接解释 弱相位体由不同原子构成，那么在电子束方向上重原子列具有较大 的势，轻原子列具有较小的势[如图6.3(a)所示]，由(6.30)式可知，在 重原子列的位置，像强度弱，如图6.13(b)所示。对比图()和(b),图像强 度变化范围比对应投影势分布稍宽，这是由于球差、色差和会聚角对分 辨率的影响。 图6.14示出了400kV拍摄的超导氧化物TIBa,CaCu,O1,的高分辨电子 显微像。对比插入的原子分布图与高分辨像可知，重原子TI和Ba的位置 出现大黑点，而这些金属原子周围相对来说是明亮，特别是，没有氧原 子存在的空隙，即势最低的区域最明亮，与(630)式预测很好地对应
4.2.2 弱相位体高分辨像的直接解释 弱相位体由不同原子构成，那么在电子束方向上重原子列具有较大 的势，轻原子列具有较小的势[如图6.3(a)所示]，由（6.30）式可知，在 重原子列的位置，像强度弱，如图6.13(b)所示。对比图(a)和(b)，图像强 度变化范围比对应投影势分布稍宽，这是由于球差、色差和会聚角对分 辨率的影响。 图6.14示出了400kV拍摄的超导氧化物TlBa2CaCu4O11的高分辨电子 显微像。对比插入的原子分布图与高分辨像可知，重原子Tl和Ba的位置 出现大黑点，而这些金属原子周围相对来说是明亮，特别是，没有氧原 子存在的空隙，即势最低的区域最明亮，与(6.30)式预测很好地对应
4.2.2弱相位体高分辨像的直接解释 (a) (b) 图6.13晶体势(a)与高分辨电子显微像衬度 图6.14超导氧化物TIBa2CaCu4O1的高分辨 (b)对应的示意图 电子显微像
4.2.2 弱相位体高分辨像的直接解释 图6.13 晶体势（a）与高分辨电子显微像衬度 （b）对应的示意图 图6.14 超导氧化物TlBa2CaCu4O11的高分辨 电子显微像
4.2.2弱相位体高分辨像的直接解释 若样品中同时存在非晶体和晶体，由于它们的投影势不同，也将导 致高分辨像不同的衬度特征。图6.15(a)b)分别示出了薄样品的非晶投影 势和晶体的投影势。在非晶样品中，原子的自由重叠导致投影势的分布 与其平均势较小的偏离。而在晶体中，原子的规则排列，投影势由明锐 和高的峰主导，其分布与平均势有有显著的不同。由此不难想象，非晶 势的分布将导致一个弱的衬度，而晶体势的分布将导致一个强的衬度。 图6.16是823K溅射的FCo(41%Vol)-Al,O,颗粒膜中非晶基体Al,O,的 高分辨像及其傅里叶变换（右下角插图）。 当试样满足弱相位体时，在谢尔策欠焦条件下拍摄的高分辨显微电 子像，由此能对结构直接进行解释。高分辨像有一维结构像和二维结构 像
4.2.2 弱相位体高分辨像的直接解释 若样品中同时存在非晶体和晶体，由于它们的投影势不同，也将导 致高分辨像不同的衬度特征。图6.15(a)(b)分别示出了薄样品的非晶投影 势和晶体的投影势。在非晶样品中，原子的自由重叠导致投影势的分布 与其平均势较小的偏离。而在晶体中，原子的规则排列，投影势由明锐 和高的峰主导，其分布与平均势有有显著的不同。由此不难想象，非晶 势的分布将导致一个弱的衬度，而晶体势的分布将导致一个强的衬度。 图6.16是823K溅射的FeCo（41％Vol）-Al2O3颗粒膜中非晶基体Al2O3的 高分辨像及其傅里叶变换（右下角插图）。 当试样满足弱相位体时，在谢尔策欠焦条件下拍摄的高分辨显微电 子像，由此能对结构直接进行解释。高分辨像有一维结构像和二维结构 像
4.2.2弱相位体高分辨像的直接解释 5nm 图6.16A1,O,颗粒膜中非晶基体A1,O,的高分辨像及其傅里叶变换
4.2.2 弱相位体高分辨像的直接解释 图6.16 Al2O3颗粒膜中非晶基体Al2O3的高分辨像及其傅里叶变换