2.2 间接调制（外调制）电光调制、磁光调制、声光调制，其中电光源的外调制技术：光调制最为常用。特点：■啾特性：零啾或负啾（MZ型），利于高速、长距离传输消光比高(>13)■插损：较大5~6dB驱动电压：较高~5V难以与光源集成■偏振敏感外调制方式主要用于高速大容量传输系统
•光源的外调制技术：电光调制、磁光调制、声光调制，其中电 光调制最为常用。 2.2 间接调制（外调制） ◼啁啾特性：零啁啾或负啁啾（MZ型），利于高速、长距离 传输 ◼消光比高（>13） ◼插损：较大5~6dB ◼驱动电压：较高~5V ◼难以与光源集成 ◼偏振敏感 特点： 外调制方式主要用于高速大容量传输系统
电光调制电光调制主要包括：锯酸锂外调制和电致吸收调制(LN)锯酸锂外调制器：电压施加于晶体（LiNb03），导致晶体折射率发生变化。引起通过该晶体的光波特性发生变化普科尔(Pocket)效应：晶体折射率与外加电场幅度成线形变化(Kerr)克尔效应：晶体折射率与外加电场幅度的平方成比例变化效应(Pocket)铌酸锂外调制器主要利用普科尔
电光调制主要包括：铌酸锂外调制和电致吸收调制 铌酸锂（LN）外调制器： 电压施加于晶体（LiNbO3），导致晶体折射率发 生变化，引起通过该晶体的光波特性发生变化 普科尔（Pocket）效应：晶体折射率与外加电场 幅度成线形变化 克尔（Kerr）效应：晶体折射率与外加电场幅度 的平方成比例变化 铌酸锂外调制器主要利用普科尔（Pocket）效应 电光调制
LN相位调制器电极x(b))x(b)z(ay(c)y(c)D"TEDLiNbO,村底LiNbO村底导波层图4.22LiNbO电光波导调制器结构示意·外加电场导致相位延迟V△Φ=元·1Driving VoltageV-VoAANpcsof WavesDriving Voltage V-V1N+1 pes of Waves
V V = •外加电场导致相位延迟 LN相位调制器
LN强度调制采用马赫-曾德干涉结构实现相位至强度的转化ElectricFieldElectricFieldOutputOutputSignalSignal"O"R"1"InputInputSignalSignalElectricFieldLiNbO3Electric FieldLiNbO3
采用马赫-曾德干涉结构实现相位至强度的转化 LN强度调制
LNIntensityModulatorLNPhaseModulatorLNPolarization ScramblerLNDualElectrodeModulator