《数字电子技术基础》第五版 7.2.3可擦除的可编程ROM( EPROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM( UVEPROM) 量量龙力
《数字电子技术基础》第五版 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM）
《数字电子技术基础》第五版 SIMOS(Stacked-gate Injuction MOS 4C HC"HE 叠栅注入MOS管 G 16×16 SiO2 D 行地址译码器 存储矩阵 t十 H十C N G P G∴:控制栅4 A Gr:浮置栅 输出缓冲器 工作原理: 若G上充以负电荷,则G处正常逻辑高电平下不导通 若G上未充负电荷,则G处正常逻辑高电平下导通
《数字电子技术基础》第五版 叠栅注入MOS管 SIMOS(Stacked gate Injuction MOS) 浮置栅 控制栅 : : f c G G 若 上未充负电荷，则 处正常逻辑高电平下导通 若 上充以负电荷，则 处正常逻辑高电平下不导通 工作原理： f c f c G G G G