《数字电子技术基础》第五版 Ao-An-1 与”项 A1 地 与”阵列 “或”阵列氵输出 4 输出缓冲器 「地址数据 处1下 D3 A1 Ao D3 D1Do 存储矩 d2 0|00101 110 +W 10|0 W
《数字电子技术基础》第五版 地 址 数 据 A1 A0 D3 D2 D1 D0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm
《数字电子技术基础》第五版 两个概念: ·存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元 中有器件存入“1",无器件存入“0 Wal w 输出缓冲器 r 存 处21 D, EN. EN ·存储器的容量:“字数ⅹ位数
《数字电子技术基础》第五版 两个概念： • 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元 中有器件存入“1”，无器件存入“0” • 存储器的容量：“字数 x 位数
《数字电子技术基础》第五版 掩模ROM的特点: 出厂时已经固定,不能更改,适合大量生产 简单,便宜,非易失性 Wo W W2 W 输出缓冲器 D3 D3 储+W + T-D D D EN
《数字电子技术基础》第五版 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性
《数字电子技术基础》第五版 7.22可编程ROM(PROM) 总体结构与掩模ROM样,但存储单元不同 ∫,,,,,,,十K 长长 卡卡 线 熔 地址译码器 矩 位线 阵 *熔丝由易熔合金制成 *出厂时,每个结点上都有 *编程时将不用的熔断 !是一次性编程,不能改写 D,D。D5D4D3D2D1D0
《数字电子技术基础》第五版 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 ！！ 是一次性编程，不能改写 编程时将不用的熔断 出厂时，每个结点上都有 熔丝由易熔合金制成
《数字电子技术基础》第五版 7.22可编程ROM(PROM) 总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同 长长长卡卡卡长 A3 A 地址译码器 存 1储 k 矩 A 读写△中△中△y 放 大 平 写入时,要使用编程器 叉平」」屯 D, D Ds D4 D, D, D Do
《数字电子技术基础》第五版 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 写入时，要使用编程器