加速电场慢化体 加电场慢化体是一种新思想.在绝缘体或半导 体上加电场把e+拉向表面，会使到达表面的e+数 量增加，这个设想是Lynn和Mckee16]在1979年首 先提出的，他们利用镀200A金膜的金硅面垒半导体 探测器作为慢化体，Si,Ge有正的e+功函数，不发射 e+,但金层可发射e+.实验结果并不理想，效率的增 加量并不是很大，这是由于非外延生长的金层中有 缺陷，以及Si(111)和Au界面有SiO2阻挡层，使慢 +不容易重发射.但人们相信，使用外延生长法在 50m的Si表面生长金属硅化物，并且冷却到77K, 可望使效率提高到10%.也有人建议用NSi/Si
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1987年Beling等讨论了使用外延金属半导 体NiSi/S(111)的作为场加强慢化体的可能性。 有可能SC是一种理想的场加强型慢化体 1997年日本筑波的Suzuki等人用高电压(5 10kV)加到慢化体中来抽取正电子的方法来 提高正电子的产额，预计比原有方法可提高一 个数量级
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SiC也是加电场慢化体的极好材料，首先，不加 电场时慢化效率比较高，可达1.5×103，容易做成 二极管型.由于加电场慢化体必然有二极管结构，在 重发射一侧必然是P型SiC
Tungsten mesh as positron transmission moderator in a monoenergetic positron beam H.M.Weng b,C.C.Ling 4",C.D.Beling "S.Fung "C.K.Cheung " P.Y.Kwan a,I.P.Hui a Department of Physics,The University of Hong Kong.Pokfulam Road.Hong Kong Department of Modern Physics,University of Science and Technology of China.Hefei.China Received 17 March 2004;received in revised form 28 April 2004 With the raw W mesh material having a wire diameter of 20 um and transmission efficiency of 92.5%,an optimal efficiency of 1.2 x10-3 was achieved with 5 min etching duration and a folding number of 12 layers
W i t h t h e r a w W m e s h m a t e r i a l h a v i n g a w i r e d i a m e t e r o f 2 0 µ m a n d t r a n s m i s s i o n e ffi c i e n c y o f 9 2.5 %, a n o p t i m a l e ffi c i e n c y o f 1.2 × 1 0-3 w a s a c h i e v e d w i t h 5 m i n e t c h i n g d u r a t i o n a n d a fo l d i n g n u mb e r o f 1 2 l a y e r s
200#m 200um Photographs of:(a)the original tungsten mesh and (b)the electro-polished mesh
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