根据克希霍夫第一定律: 1 =i+i i。=阝i+i≡(1+β)i 节点:流入、流出电流相等 i=βi, 放大区特征: V>0(正偏) V.≤0(反偏)
根据克希霍夫第一定律： e b b b e c b i = i + i = 1 + i i = i + i β ( β ) 节点：流入、流出电流相等 放大区特征： （反偏） （正偏） V < 0 V > 0 i = βi bc be c b
饱和区 V不断增大,、i、i均增大。导致 VcE-Vcc-R不断下降。 当Vc降到0.7V以下时,三极管集电结由反偏转向 正偏 此时,i增加而i不再增加
*饱和区 Vi不断增大，ib、ic、ie均增大。导致 VCE=VCC-icR不断下降。 当VCE降到0.7V以下时，三极管集电结由反偏转向 正偏 此时，ib增加而ic不再增加
饱和区特征: 发射结、集电结都正偏; i≠βi; 集电极和发射极之间呈低阻抗。 硅:Vp=0.3V 锗:VE=0V 以上称为三极管饱和压降(固定参数)
饱和区特征： ; c b i ≠βi 集电极和发射极之间呈低阻抗。 硅： VCE =0.3V 锗： VCE =0.1V 以上称为三极管饱和压降（固定参数） 发射结、集电结都正偏;