二极管具有单向导电性 “开态”等效电路 “关态”等效电路 正向v加上,二极管 正向电压小于Vr,或 导通且钳位Vro 反向偏压,二极管处于 “关态
二极管具有单向导电性 “开态”等效电路 正向VT加上，二极管 导通且钳位VT。 “关态”等效电路 正向电压小于VT，或 反向偏压，二极管处于 “关态”。 VT
二极管反向恢复过程 反向恢复过程:二极管由正向导通转为反 向截止所需的过渡过程时间 实际是电荷的存储效应。 两状态转换有一个过程,从导通到截止,或从截 止到导通都需要一定时间。这个时间称为二极管 开关时间。 截止一导通:正向开通时间(小) 导通截止:反向恢复时间(大)
二极管反向恢复过程 反向恢复过程：二极管由正向导通转为反 向截止所需的过渡过程时间。 实际是电荷的存储效应。 两状态转换有一个过程，从导通到截止，或从截 止到导通都需要一定时间。这个时间称为二极管 开关时间。 截止—导通：正向开通时间（小）； 导通—截止：反向恢复时间（大）
222半导体三极管的开关特性 1)双极性三极管开关特性 静态特性 C 饱和区 C R C 放大区 CE B 截止区
2.2.2 半导体三极管的开关特性 1）双极性三极管开关特性 静态特性 RB RC VCE Vi E i C i B i VCC VCE C i 饱和区 放大区 截止区
截止区 V0时,Vbe0,VbO 三极管两个PN结均处于反偏,只有很小的 反向漏电流I0和b0 极管处于截止区 通常以12=0或V≤V作为导通和截止的分界。 由于I=0,输出电压ⅤcE=Vc
Vi<0时，Vbe<0，Vbc<0 三极管两个PN结均处于反偏，只有很小的 反向漏电流Icb0和Ieb0 三极管处于截止区 通常以Ib=0或 作为导通和截止的分界。 由于Ic=0，输出电压VCE=VCC Vbe VT ≤ *截止区
放大区 V上升,超过死区电压07V,发射结正偏, 发射区发射电子注入基区,形成i 由于三极管的物理构造,发射区只有少量和基区 空穴复合形成i,大部分扩散至集电结边界,由 于集电结处于反偏,因此可以充分吸收基区到达 的电子,形成i i。=βi
Vi上升，超过死区电压0.7V，发射结正偏， 发射区发射电子注入基区，形成 ie。 由于三极管的物理构造，发射区只有少量和基区 空穴复合形成ib，大部分扩散至集电结边界，由 于集电结处于反偏，因此可以充分吸收基区到达 的电子，形成 ic。 C b i = βi *放大区