毕导体照明 几千年来,古今中外的人们一直依靠日光、月光和火光进行 照明,直到1879年爱迪生发明第一只白炽灯,真正意义上的现 代文明才得以开始。一百多年来,照明灯具飞速发展,白炽 灯、气体放电灯和各种不同类型的灯具把城市和乡村照耀的 五光十色,但在我们应用的各种灯具中有80%~90%的电转 化为为热能被白白消耗掉。 半导体照明是2世纪最具发展前景的高技术领域之一。半导体 照明光源一一发光二极管①LED具有高效、节能、环保、长寿 命、抗震、抗冲击、易维护等显著特点,被认为是最有可能 进入普通照明领域的一种新型固态冷光源。是类照明史上 继白炽灯荧光灯之后的又一次革命
半导体照明 几千年来，古今中外的人们一直依靠日光、月光和火光进行 照明，直到1879年爱迪生发明第一只白炽灯，真正意义上的现 代文明才得以开始。一百多年来，照明灯具飞速发展，白炽 灯、气体放电灯和各种不同类型的灯具把城市和乡村照耀的 五光十色，但在我们应用的各种灯具中有80%~90%的电力转 化为为热能被白白消耗掉。 半导体照明是21世纪最具发展前景的高技术领域之一。半导体 照明光源－－发光二极管(LED)具有高效、节能、环保、长寿 命、抗震、抗冲击、易维护等显著特点，被认为是最有可能 进入普通照明领域的一种新型固态冷光源。是人类照明史上 继白炽灯、荧光灯之后的又一次革命
§112半导体激光器概述 11.21半导体激光器简介 半导体激光器:利用半导体产生激光的器件 优点:体积小,效率高,能直接利用电源对 输出激光调制。 激励方式:PN结注入电流激励,电子束激励, 光激励,碰撞电离激励等。 工作物质:主要是Ⅲ~V族,Ⅳ~Ⅵ族,和 Ⅱ~Ⅵ族化合物半导体
半导体激光器：利用半导体产生激光的器件 优点：体积小，效率高，能直接利用电源对 输出激光调制。 激励方式：PN结注入电流激励，电子束激励, 光激励，碰撞电离激励等。 工作物质：主要是Ⅲ～Ⅴ族，Ⅳ～Ⅵ族，和 Ⅱ～Ⅵ族化合物半导体 。 §11.2半导体激光器概述 11.2.1半导体激光器简介
112.2半导体激光器的分类 半导体激光器种类很多,可依据半导体材料,器件结构, 输出功率和用途等不同方式划分。 1按材料划分:激光二极管主要集中在 Ⅲ-V族的 alGaAs, GalnAsp, In gaAP, In gaN Ⅱ-Ⅵ族的 ZnSE,ZnO等材料, 应用最多的是 alGaAs, In gaAl和 GalnAsp, In gaN 2按波长划分:分可见光,红外光,远红外光。 3按应用领域分:半导体激光器主要应用于光纤通信,光 盘存储,光纤传感,激光仪器等
半导体激光器种类很多，可依据半导体材料，器件结构， 输出功率和用途等不同方式划分。 1.按材料划分：激光二极管主要集中在 Ⅲ-Ⅴ族的AlGaAs , GaInAsP , InGaAlP , InGaN Ⅱ-Ⅵ族的ZnSSe , ZnO等材料， 应用最多的是AlGaAs , InGaAlP 和GaInAsP , InGaN 2.按波长划分：分可见光，红外光，远红外光。 3.按应用领域分：半导体激光器主要应用于光纤通信，光 盘存储，光纤传感，激光仪器等。 11.2.2半导体激光器的分类
波长A 1.5 nGaAsP激光器 近红外 通讯系统 1.0 n GaAs激光器 AlGaAs激光器 AlIngaP激光器(红 可见光 光盘 05 GaN激光器(蓝) 图1121半导体激光器的材料、发射波长和应用分类
波长/um 0.5 1.0 1.5 近红外 可见光 InGaAsP激光器 InGaAs激光器 AlGaAs激光器 AlInGaP激光器(红) GaN激光器(蓝) 通讯系统 光盘 图11.2.1半导体激光器的材料、发射波长和应用分类
4按器件结构分:半导体激光器主要以三条主线发 展 (1)依异质结构的方式发展:同质结一单异质 结一双异质结一大光腔一分离限制异质结一量子 阱一量子线一量子点 (2)以谐振腔的方式发展:F-P腔一分布反馈一分 布布拉格反射一垂直腔一微腔等 (3)依条形结构发展:宽接触一条形结构 5按输出功率分:小功率(通常为1~10mw),大 功率(1~10w,甚至100,1000w),脉冲功率 为万瓦的激光器阵列
4.按器件结构分：半导体激光器主要以三条主线发 展。 （1）依异质结构的方式发展：同质结—单异质 结—双异质结—大光腔—分离限制异质结—量子 阱—量子线—量子点 （2）以谐振腔的方式发展：F-P腔—分布反馈—分 布布拉格反射—垂直腔—微腔等 （3）依条形结构发展：宽接触—条形结构 5.按输出功率分：小功率（通常为1～10mw），大 功率（1 ～ 10w，甚至100w，1000w），脉冲功率 为万瓦的激光器阵列