3.1.3BJT的特性曲线（以共射极放大电路为例）1.输入特性曲线iB=f(VBE)VCE=const(1）当vcr=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。(2)当vcr≥1V时，VcB=VcE-VBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的E下I减小，特性曲线右移。IB/uAicTc+VCE =OV, VcE ≥ 1V1B100bVCE+80差e.VBEVcc6040VBB20/VBEA共射极放大电路00.2 0.4 0.6 0.8 1.0HOMENEXTBACK
vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE) vCE=const (2) 当vCE≥1V时，vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 vCE = 0V vCE 1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 3.1.3 BJT的特性曲线 （以共射极放大电路为例）
3.1.3BJT的特性曲线1.输入特性曲线(3输入特性曲线的三个部分①死区IB/uAT100②非线性区8060③线性区4020BE00.2 0.4 0.6 0.8 1.0HOMEBACKNEXT
(3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③线性区 1. 输入特性曲线 3.1.3 BJT的特性曲线
3.1.3BJT的特性曲线2：输出特性曲线Ic/mA饱和区ic=f(vcE) /iB=constIB2=80μA4放大区输出特性曲线的三个区域：m2B1=40μA2截止区1ZB = 0控0VCE/V+8624截止放大区：ic平行于vce轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。HOMENEXTBACK
饱和区：iC明显受vCE控 制的区域，该区域内， 一般vCE＜0.7V(硅管)。 此时，发射结正偏，集 电结正偏或反偏电压很 小。 iC=f(vCE) iB=const 2. 输出特性曲线 输出特性曲线的三个区域: 3.1.3 BJT的特性曲线 截止区：iC接近零的 区域，相当iB=0的曲 线的下方。此时， vBE小于死区电压， 集电结反偏。 放大区：iC平行于vCE轴的 区域，曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏，集电 结反偏
3.1.4BJT的主要参数1.电流放大系数(1）共发射极直流电流放大系数Bβ = (Ic-IcEo） /IB=lc/IBlVCE=constIc/mAIc/mATVcE =7V500MAaB=Ic/lBid400MAd3030300MAIcC2020:b200MAbIB=100μA10la10a-.---OMA--+IB/μA0VCE!C5152010400.500100200300HOMENEXTBACK
3.1.4 BJT的主要参数 (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB vCE=const 1. 电流放大系数
3.1.4BJT的主要参数1.电流放大系数(2)共发射极交流电流放大系数ββ=△I/△BVCE-ConstIc/mAB△/=IB1-IB2福B2>VCE/VVCEQHOMEBACKNEXT
(2) 共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const 3.1.4 BJT的主要参数 1. 电流放大系数