玉学)轳仁壁笪壟效器 口截止区 D=0以下的工作区域。 Iy/mA DS GSGS(th) 条件:Ves<vesd GS 5V 沟道未形成时的工作区 4.5V 特点:a≈0,ID≈0 3.5V 相当于MOS管三个电极断开。0 口击穿区 DS 增大到一定值时→漏衬PN结雪崩击穿>l剧增 扣·Vns↑→沟道→对于l较小的MO管→穿通击穿。 区园
❑ 截止区 特点： 相当于MOS管三个电极断开。 ID/mA VDS 0 /V VDS = VGS –VGS(th) VGS =5V 3.5V 4V 沟道未形成时的工作区 4.5V 条件： VGS < VGS(th) ID=0以下的工作区域。 IG≈0，ID≈0 ❑ 击穿区 • VDS增大到一定值时→漏衬PN结雪崩击穿→ ID剧增。 • VDS→沟道 l →对于l 较小的MOS管→穿通击穿
玉学)仁壁器」 由于MOS管Co很小,因此当带电物体(或人) 靠近金属栅极时,感生电荷在SiO2绝缘层中将产生 很大的电压Vs=QCox,使绝缘层击穿,造成 MOS管永久性损坏。 MOS管保护措施 分立的MOS管:各极引线短接、烙铁外壳接地。 MOS集成电路: TD1D2一方面限制v间 最大电压,同时对感生 电荷起旁路作用 区园
由于MOS管COX很小，因此当带电物体（或人） 靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生 很大的电压VGS(=Q /COX)，使绝缘层击穿，造成 MOS管永久性损坏。 MOS管保护措施： 分立的MOS管：各极引线短接、烙铁外壳接地。 MOS集成电路： T D2 D1 D1 D2一方面限制VGS间 最大电压，同时对感 生 电荷起旁路作用