玉学)仁壁器」 第三章场效应管 31MOS场效应管 32结型场效应管 33场效管应用原理
3.2 结型场效应管 3.3 场效管应用原理 3.1 MOS场效应管 第三章 场效应管
玉学)仁壁器」 概迷 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。 它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前 制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管分类:「MOS场效应管 结型场效应管 场效应管与三极管主要区别: ·场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻 ·场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)。 区园
概 述 场效应管是另一种具有正向受控作用的半导体器件。 它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前 制造大规模集成电路的主要有源器件。 场效应管与三极管主要区别： • 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 • 场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。 场效应管分类： MOS场效应管 结型场效应管
玉学)仁壁器」 3.1MOS场效应管 增强型(EMOS) N沟道(NMOS) MOSFET P沟道(PMOS) N沟道(NMOS) 耗尽型(DMOS) P沟道(PMOS) N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似,不 同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同,因 此导致加在各极上的电压极性相反
3.1 MOS场效应管 P沟道（PMOS） N沟道（NMOS） P沟道（PMOS） N沟道（NMOS） MOSFET 增强型（EMOS） 耗尽型（DMOS） N沟道MOS管与P沟道MOS管工作原理相似，不 同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因 此导致加在各极上的电压极性相反
玉学)轳仁壁笪壟效器 3.1.1增强型MOS场效应管 口N沟道 EMOSFET结构示意图 源极 金属栅极 衬底极 漏极 G 沟道 电路符号 宽度 D Sio 绝缘层 -O U G P型硅 P 衬底 「沟道长度 区圆
N + N + P + P + P U S G D 3.1.1 增强型MOS场效应管 ❑ N沟道EMOSFET结构示意图 源极 衬底极 漏极 SiO2 绝缘层 金属栅极 P型硅 S 衬底 G U D 电路符号 l 沟道长度 W 沟道 宽度
玉学)轳仁壁笪壟效器 口N沟道EMOS管工作原理 >N沟道EMOs管外部工作条件 VDs>0(保证栅漏PN结反偏) U接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏)。 ·es>0(形成导电沟道) DS 栅~衬之间相当 于以SiO2为介质 sooG 的平板电容器
➢ N沟道EMOS管外部工作条件 • VDS > 0 (保证栅漏PN结反偏)。 • U接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏)。 • VGS > 0 (形成导电沟道) P P + N+ N+ S G D U VDS - + - + VGS ❑ N沟道EMOS管工作原理 栅衬之间相当 于以SiO2为介质 的平板电容器