玉学)仁壁器」 口伏安特性 由于MOS管栅极电流 为零,故不讨论输入特 lc≈0 G 性曲线。 DS 共源组态特性曲线: 输出特性:D=f(bs) Vcs=常数 转移特性:D=f(Ves Ds=常数 转移特性与输出特性反映场效应管同一物理过程 它们之间可以相互转换
由于MOS管栅极电流 为零，故不讨论输入特 性曲线。 共源组态特性曲线： ID= f ( VGS ) VDS = 常数 转移特性： ID= f ( VDS ) VGS = 常数 输出特性： ❑ 伏安特性 + T VDS IG0 VGS ID + - - 转移特性与输出特性反映场效应管同一物理过程， 它们之间可以相互转换
NEMOS管输出特性曲线 口非饱和区 Iy/mA 沟道预夹断前对应的工作区 DS Gs GS(th) Vcs=5v 条件 GS GS(th) 4.5V Vnc<v DS GsGS(th 特点 3.5V J同时受与V的控制。 DS 当Vs为常数时,V↑→近似线性↑,表现为一种电阻特性; 当V为常数时,Vs个→b个,表现出一种压控电阻的特性。 因此,非饱和区又称为可变电阻区
➢ NEMOS管输出特性曲线 ❑ 非饱和区 特点： ID同时受VGS与VDS的控制。 当VGS为常数时，VDS→ID近似线性，表现为一种电阻特性； ID/mA VDS 0 /V VDS = VGS –VGS(th) VGS =5V 3.5V 4V 4.5V 当VDS为常数时，VGS →ID ，表现出一种压控电阻的特性。 沟道预夹断前对应的工作区。 条件： VGS > VGS(th) V DS < VGS–VGS(th) 因此，非饱和区又称为可变电阻区
玉学)仁壁省效 数学模型: 简V很小MOs管工作在非饱区时,l与V之间呈线性关系: unco W 2(G GS GS(th)/DS W GS GS(th)/ DS 其中:W、l为沟道的宽度和长度 Cox(=ε/τx)为单位面积的栅极电容量 此时MOs管可看成阻值受V控制的线性电阻器 R n oX GS GS(th) 注意:非饱和区相当于三极管的饱和区
数学模型： 此时MOS管可看成阻值受VGS控制的线性电阻器： VDS很小MOS管工作在非饱区时，ID与VDS之间呈线性关系： [2( ) ] 2 2 GS GS(th) DS DS n OX D V V V V l C W I = − − − = n OX GS GS(th) o n 1 C W V V l R 其中：W、l 为沟道的宽度和长度。 COX （= / OX）为单位面积的栅极电容量。 注意：非饱和区相当于三极管的饱和区。 GS GS(th) DS n OX (V V )V l C W −
口饱和区 A GS GS(th) 沟道预夹断后对应的工作区。 GS 5V 条件 GS GS(th) 4.5V DS Gs GS(th) 35V 特点: 只受Ve控制,而与Vs近似无关,表现出类 似三极管的正向受控作用。 考虑到沟道长度调制效应,输出特性曲线随Vns 的増加略有上翘。 注意:饱和区(又称有源区)对应三极管的放大区
❑ 饱和区 特点： ID只受VGS控制，而与VDS近似无关，表现出类 似三极管的正向受控作用。 ID/mA VDS 0 /V VDS = VGS –VGS(th) VGS =5V 3.5V 4V 4.5V 沟道预夹断后对应的工作区。 条件： VGS > VGS(th) V DS > VGS–VGS(th) 考虑到沟道长度调制效应，输出特性曲线随VDS 的增加略有上翘。 注意：饱和区（又称有源区）对应三极管的放大区
玉学)轳仁壁笪壟效器 数学模型: 间工作在饱和区时,MOs管的正向受控作用,服 从平方律关系式 D 21 GsGS(th) 着考虑沟道长度调制效应,则L的修正方程 nOX DS S GS(th) noX )3(1+s) 2l GS GS(th) 其中:1称沟道长度调制系数,其值与有关。 通常=(0.005~0.03)V1
数学模型： 若考虑沟道长度调制效应，则ID的修正方程： 工作在饱和区时，MOS管的正向受控作用，服 从平方律关系式： 2 GS GS(th) n OX D ( ) 2 V V l C W I = − = − − A 2 DS GS GS(th) n OX D ( ) 1 2 V V V V l C W I ( ) D S 2 G S GS(th) n O X ( ) 1 2 V V V l C W = − + 其中： 称沟道长度调制系数，其值与l 有关。 通常 =( 0.005 ~ 0.03 )V-1