玉学)仁壁器」 第二章晶体三极管 21放大模式下晶体三极管的工作原理 22晶体三极管的其它工作模式 23埃伯尔斯莫尔模型 2.4晶体三极管伏安特性曲线 2.5晶体三极管小信号电路模型 2.6晶体三极管电路分析方法 27晶体三极管的应用原理
2.2 晶体三极管的其它工作模式 2.4 晶体三极管伏安特性曲线 2.3 埃伯尔斯—莫尔模型 2.7 晶体三极管的应用原理 2.1 放大模式下晶体三极管的工作原理 第二章 晶体三极管 2.5 晶体三极管小信号电路模型 2.6 晶体三极管电路分析方法
玉学)仁壁器」 概迷 三极管结构及电路符号 发射极E 集电极C NPN E 发射结基极B集电结 B 发射极E 集电极CE -O C 基极B B
概 述 ➢ 三极管结构及电路符号 发射极E 基极B N P N + 集电极C 发射极E 基极B P N P + 集电极C B E C B E C 发射结 集电结
玉学)壁孳器 三极管内部结构特点 1)发射区高掺杂。2)基区很薄。3)集电结面积大。 三极管三种工作模式 放大模式:发射结正偏,集电结反偏。 饱和模式:发射结正偏,集电结正偏。 截止模式:发射结反偏,集电结反偏。 注意:三极管具有正向受控作用,除了满足内部结 壮构特点外,还必须满足放大模式的外部工作条件。 区圆
➢ 三极管三种工作模式 •放大模式：发射结正偏，集电结反偏。 •饱和模式：发射结正偏，集电结正偏。 •截止模式：发射结反偏，集电结反偏。 注意：三极管具有正向受控作用，除了满足内部结 构特点外，还必须满足放大模式的外部工作条件。 ➢ 三极管内部结构特点 1）发射区高掺杂。2）基区很薄。3）集电结面积大
玉学)仁壁器」 2.1放大模式下三极管工作原理 2.1.1内部载流子传输过程 N+ P N E flEp En clCn'lcBo En E E BO P BB B R R 2 B=lEn+I pBBCBO IEP+(En ICn)-IcBoO lE-Ic
2.1 放大模式下三极管工作原理 2.1.1 内部载流子传输过程 N+ P N - + - + V1 V2 R1 R2 IEn IEp IBB ICn ICBO IE IE= IEn+IEp IC IC=ICn+ICBO IB IB= IEp+IBB -ICBO = IEp+(IEn-ICn) -ICBO =IE -IC
玉学)仁壁器」 口发射结正偏:保证发射区向基区发射多子。 射区掺杂浓度>基区:减少基区向发射区发射的 多子,提高发射效率 口基区的作用:将发射到基区的多子,自发射结传 输到集电结边界。 "基区很薄:可减少多子传输过程中在基区的复合 机会,保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 口集电结反偏、且集电结面积大:保证扩散到集电 结边界的载流子全部漂移到集电区,形成受控的集 电极电流
❑ 发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 ▪发射区掺杂浓度>>基区：减少基区向发射区发射的 多子，提高发射效率。 ❑ 基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传 输到集电结边界。 ▪基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合 机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 ❑ 集电结反偏、且集电结面积大：保证扩散到集电 结边界的载流子全部漂移到集电区，形成受控的集 电极电流