6/54复习2N沟道耗尽型ID木IDt+2VdXIDUGs=OV00+IDSS田-2V绝缘栅场效应管D田-5VUGS-UDss0-5P沟道耗尽型IDD-2VdUGs=0VIDSS+2V+5V④GSO+5s
6/54 绝缘栅场效应管 N沟道耗尽型 P 沟道耗尽型 复习 2 U P
7/54复习3dN沟道耗尽型ID#IDt田ID000VGs =0VeIDss-2V0EU-5Vs结型场效应管VDsGS0P沟道耗尽型ID*IDdVGs= OVIDSS+2V田+5VVDSGSs0+5福
7/54 结型场效应管 N沟道耗尽型P沟道耗尽型 复习 3 U P
8/54MOS场效应管的特点N场效应管与晶体管的相比，具有以下特点：1.电压控制元件，电流i,受电压ucs的控制2.是单级型器件，温度特性好，抗辐射能力强3.输入电阻高，可达10~1014Q；4.面积、功耗小，便于集成。；5.不同类型的FET对偏压的要求不同6.跨导g.较低；7.存在背栅效应（即衬底调宽效应），衬底与沟道的PN结反偏。8.工艺一致性较差，工作频率偏低、低频噪声较大等
8/54 一、MOS场效应管的特点 场效应管与晶体管的相比，具有以下特点： 1. 电压控制元件，电流iD受电压uGS的控制； 2. 是单级型器件，温度特性好，抗辐射能力强； 3. 输入电阻高，可达109~1014； 4. 面积、功耗小，便于集成。； 5. 不同类型的FET对偏压的要求不同； 6. 跨导gm较低； 7. 存在背栅效应（即衬底调宽效应），衬底与沟道的PN结反偏。 8. 工艺一致性较差，工作频率偏低、低频噪声较大等
9/54场效应管的等效电路二、1.MOSFET的直流模型DG十十UdsUgsIpS2I, ~ K(UGs -UJ Gs.th（增强型MOS管，简称E管）2GSID1-~ Ipss（耗尽型MOS管，简称D管）U cS,off复习：Us,th开启电压（增强型），Ucs,ofr夹端电压（耗尽型、结型）
9/54 二、场效应管的等效电路 S D Ugs + - + - Uds G 1. MOSFET的直流模型 （耗尽型MOS管，简称D管） 2 D GS,th 2 D DSS GS,off 1 GS GS I K U U U I I U ID ID （增强型MOS管，简称E管） 复习：UGS,th开启电压（增强型），UGS,off夹端电压（耗尽型、结型）
10/542.低频小信号模型由输出特性：Ip=f(UGs,Ups)NpNpNIDAUps =0 △UAUcs=0 AUDs十GSAUAUDSeSN, = gmAUcs + gasAUDSDDGD+0十CIDgdsAUDsAUGSJGBOAUGSgmCS0输出电导Sgds:跨导gm:gds=1/rds
10/54 S D ΔUGS gds + - + - ΔUDS G ID 2. 低频小信号模型 由输出特性： ID =f (UGS,UDS) Δ Δ Δ Δ Δ Δ Δ Δ Δ DS GS D D D 0 GS 0 DS GS DS U U I I I U U U U ΔID ΔI g U g U D m GS ds DS Δ Δ gmΔUGS gm：跨导 gds：输出电导 gds=1/rds