3.半导体二极管的主要参数 )最大整流电流I:指管子长期运行时,允许通过的最 大正向平均电流 2)反向击穿电压Ug:指管子反向击穿时的电压值 3)最大反向工作电压UDRM:二极管运行时允许承受的最 大反向电压(约为UB的一半)。 4)反向电流IR:指管子未击穿时的反向电流,其值越小 则管子的单向导电性越好 5)最高工作频率fn:主要取决于PN结结电容的大小 理想二极管:正向电阻为零,正向导通时为短路特性, 正向压降忽略不计;反向电阻为无穷大,反向截止时为 开路特性,反向漏电流忽略不计
3．半导体二极管的主要参数 1）最大整流电流IF：指管子长期运行时，允许通过的最 大正向平均电流。 2）反向击穿电压UB：指管子反向击穿时的电压值。 3）最大反向工作电压UDRM：二极管运行时允许承受的最 大反向电压（约为UB 的一半）。 4）反向电流IR：指管子未击穿时的反向电流，其值越小 ，则管子的单向导电性越好。 5）最高工作频率fm：主要取决于PN结结电容的大小。 理想二极管：正向电阻为零，正向导通时为短路特性， 正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为 开路特性，反向漏电流忽略不计
71.3稳压管 稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管,稳压管 的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于: 电流增量很大,只引起很小的电压变化。 稳压管的主要参数: (1)稳定电压UZ。反向击穿后稳定工作的电压 (2)稳定电流/z。工作电压等于稳定电压时的电流 (3)动态电阻rz。稳定工作范围内,管子两端电压的变 化量与相应电流的变化量之比。即:Iz=△Uz△ (4)额定功率Pz和最大稳定电流M。额定功率P2是在 稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流lzM是 指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是: Pz=U ZIZM 阳极 阴极
7.1.3 稳压管 稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管 的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于： 电流增量很大，只引起很小的电压变化。 阳极 阴极 稳压管的主要参数： （1）稳定电压UZ。反向击穿后稳定工作的电压。 （2）稳定电流IZ。工作电压等于稳定电压时的电流。 （3）动态电阻rZ。稳定工作范围内，管子两端电压的变 化量与相应电流的变化量之比。即：rZ=ΔUZ /ΔIZ （4）额定功率PZ和最大稳定电流IZM。额定功率PZ是在 稳压管允许结温下的最大功率损耗。最大稳定电流IZM是 指稳压管允许通过的最大电流。它们之间的关系是： PZ=UZ IZM
72半导体三极管 7.21三极管的结构及类型 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成 的。在工作过程中,两种载流子(电子和空 穴)都参与导电,故又称为双极型晶体管, 简称晶体管或三极管。 两个PN结,把半导体分成三个区域 这三个区域的排列,可以是N-P-N,也可以 是P-N-P。因此,三极管有两种类型:NPN 型和PNP型
7.2 半导体三极管 7.2.1 三极管的结构及类型 半导体三极管是由两个背靠背的PN结构成 的。在工作过程中，两种载流子（电子和空 穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管， 简称晶体管或三极管。 两个PN结，把半导体分成三个区域。 这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以 是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN 型和PNP型
C 集电区 集电结、N NPN型 B P基区B 发射结N 正箭 发射区 E 向头 电方 压向 时表 C 的示 集电区 C 电发 集电结、P 流射 PNP型B 方结 基区B 向加 发射结 发射区 E
集电结 B 发射结 NPN 集电区 基区 发射区 C C E E B 集电结 B 发射结 PNP C C E E B 集电区 基区 发射区 NPN 型 PNP 型 箭头方向表示发射结加 正向电压时的电流方向
7.22电流分配和电流放大作用 (1)产生放大作用的条件 内部:a)发射区杂质浓度>>基区>>集电区 b)基区很薄 外部:发射结正偏,集电结反偏 2)三极管内部载流子的 传输过程 a)发射区向基区注入电子 形成发射极电流L b)电子在基区中的扩散与 复合,形成基极电流i 集电区收扩散过来的中个N 电子,形成集电极电流i (3)电流分配关系: BB E C B
7.2.2 电流分配和电流放大作用 （1）产生放大作用的条件 内部：a）发射区杂质浓度>>基区>>集电区 b）基区很薄 外部：发射结正偏，集电结反偏 N P N I C I E I B RB UBB UCC RC （2）三极管内部载流子的 传输过程 a）发射区向基区注入电子 ，形成发射极电流 iE b）电子在基区中的扩散与 复合，形成基极电流 iB c）集电区收集扩散过来的 电子，形成集电极电流 iC （3）电流分配关系： iE = iC + iB