7.2.1掩模只读存储器 电子科学与应用物理学院 ② 字线 A0-An-1 地址译码器 “与”到 w。 “与”阵列 “或”阵列 :W2-) 输出 输出缓冲器 位线 存储矩 Do 7.2.1掩模只读存储器 电子科学与应用物理学院 输出端的缓冲器用来 提高带负载能力，并 将输出的高低电平变 换成标准的逻辑电平。 同时通过给定EN"信 地址译码器 号实现对输出的三态 控制，以便与总线相 联。在读出数据时， 输出缓冲器 只要输入指定的地址 代码，同时令EN”= 0,则指定的地址内各 存储矩阵 A D 存储单元所存数据便 D 出现在数据输出端。 M A D 8 4
4 7 电子科学与应用物理学院 School of Electronic Science & Applied Physics 7 7 7.2.1 掩模只读存储器 A0~An-1 W0 W(2n-1) 字线 位线 8 电子科学与应用物理学院 School of Electronic Science & Applied Physics 8 8 输出端的缓冲器用来 提高带负载能力，并 将输出的高低电平变 换成标准的逻辑电平。 同时通过给定 EN′ 信 号实现对输出的三态 控制，以便与总线相 联。在读出数据时， 只要输入指定的地址 代码，同时令 EN′ ＝ 0,则指定的地址内各 存储单元所存数据便 出现在数据输出端。 7.2.1 掩模只读存储器
7.2.1掩模只读存储器 电子科学与应用物理学院 ② 图7.2.2的存储的内容 见表7.2.1 图7.2.2 表7.2.1 R 地址 译码输出 数据 5e 地址译码器 A1 A0 WoWI W2W3 D3D2 DI Do A 00 1000 0101 5 01 010 1 01 1 0 001 0 010 0 输出缓冲器 1 0001 1110 M D 存储矩阵 D d A D D ⊙ 7.2.1掩模只读存储器 电子科学与应用物理学院 ② 是有二极管的位置，均 图7.2.2 阻、输出缓冲器和电源 4所示。 地址译码器 A0 A0 Wwo wi w2 w3 形 输出缓冲器 D3 g D2 DI 存储矩阵 M Do W 0 图7.2.4二极管掩模 W ROM的简化画法 EN 5
5 9 电子科学与应用物理学院 School of Electronic Science & Applied Physics 9 9 图7.2.2的存储的内容 见表7.2.1 图7.2.2 7.2.1 掩模只读存储器 10 电子科学与应用物理学院 School of Electronic Science & Applied Physics 10 10 7.2.1 掩模只读存储器 图7.2.3也可以用简化画法。凡是有二极管的位置，均 用交叉点“.”表示，并且省略电阻、输出缓冲器和电源 等符号，如图7.2.4所示。 图7.2.2
7.2.1掩模只读存储器 电子科学与应用物理学院② 注：a.通常将每个输出的代码叫一个“ (WORD),WW为字线，DoD3为 0- 叉的点就是一个存储单元，其中有二极行 ow小w2w3 D: 没有二极管相当于存0因此交叉，点的数目 D2 数。习惯上用存储单元的数目表示存储名 Do (或称为容量)即 图72.4二极管掩模 存储容量=字数 ROM的简化画法 如上述R0M的存储量为4×4=16位。 b.二极管ROM的电路结构简单，故集成度可以做的很 高，可批量生产，价格便宜。 C.可以把ROM看成一个组合逻辑电路，每一条字线 就是对应输入变量的最小项，而位线是最小项的或， 故ROM可实现逻辑函数的与-或标准式。 7.2.1掩模只读存储器 输出缓冲器 (2)由CMOS构成 利用MOS工艺制成 和输出缓冲器全部采用 存储矩阵 d- 阵的原理图。存储的数 W D W /po Ho. 图7.2.5 12 EN 公施天营大零 6
6 11 电子科学与应用物理学院 School of Electronic Science & Applied Physics 11 11 注： a. 通常将每个输出的代码叫一个“字” （WORD），W0~W1为字线，D0~D3为位线，其相交 叉的点就是一个存储单元，其中有二极管的相当于存1, 没有二极管相当于存0.因此交叉点的数目即为存储单元 数。习惯上用存储单元的数目表示存储器的存储量 （或称为容量）即 b. 二极管ROM的电路结构简单，故集成度可以做的很 高，可批量生产，价格便宜。 c. 可以把ROM看成一个组合逻辑电路，每一条字线 就是对应输入变量的最小项，而位线是最小项的或， 故ROM可实现逻辑函数的与－或标准式。 7.2.1 掩模只读存储器 存储容量＝字数×位数 如上述ROM的存储量为4×4＝16位 。 12 电子科学与应用物理学院 School of Electronic Science & Applied Physics 12 12 (2)由CMOS构成 利用MOS工艺制成的ROM，其译码器、存储矩阵 和输出缓冲器全部采用MOS管。图7.2.5只给出存储矩 阵的原理图。存储的数据与表7.2.1相同。 图7.2.5 7.2.1 掩模只读存储器
7.2.1掩模只读存储器 电子科学与应用物理学院 ② W Dn -D, tD. 图7.2.5 EN 由图中可以看出，字线和位线的交叉点，接MOS管的 相当于存1，没有的相当于存0.当某根字线为高电平时， 接在其上的MOS导通，其位线为低电平，通过三态非 门后，输出数据为1. 13 7.2.1掩模只读存储器 电子科学与应用物理学院 掩模ROM的特，点： 输出缓冲器 d 出厂时已经固定，不 D 能更改，适合大量生 存储矩阵 M D 产简单，便宜，非易 W 失性 W A EN . D. D 14 EN 7
7 13 电子科学与应用物理学院 School of Electronic Science & Applied Physics 13 13 由图中可以看出，字线和位线的交叉点，接MOS管的 相当于存1,没有的相当于存0.当某根字线为高电平时， 接在其上的MOS导通，其位线为低电平，通过三态非 门后，输出数据为1. 7.2.1 掩模只读存储器 图7.2.5 14 电子科学与应用物理学院 School of Electronic Science & Applied Physics 14 14 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不 能更改，适合大量生 产简单，便宜，非易 失性 7.2.1 掩模只读存储器
7.2.2可编程只读存储器PR0M 电子科学与应用物理学院 ② 在开发数字电路新产品的工作过程中，或小批量 生产产品时，由于需要的ROM数量有限，设计人员经 常希望按照自己的设想迅速写入所需要内容的ROM。 这就出现了PROM(可编程只读存储器)。 PROM的整体结构和掩模ROM一样，也有地址译 码器、存储矩阵和输出电路组成。但在出厂时存储矩 阵的交叉点上全部制作了存储单元，相当于存入了1. 如图7.2.6所示 在图7.2.6中，三极管的be结接 图7.2.6 在字线和位线之间，相当于字线和 字B基」 位线之间的二极管。快速熔断丝接 线 E发射极 熔 在发射极，当想写入0时，只要把相 应的存储单元的熔断丝烧断即可。 但只可编写一次。 位线 15 亿.2.1可编程只读存他gDD0 由子到学与应田物田学院 图7.2.7为16×8位 的PROM结构原理 图。写入时，要使 用编程器。 地址译码器 读/写 7 16 图7.2.7 D D D D, D 2 8
8 15 电子科学与应用物理学院 School of Electronic Science & Applied Physics 15 15 7.2.2 可编程只读存储器PROM 在开发数字电路新产品的工作过程中，或小批量 生产产品时，由于需要的ROM数量有限，设计人员经 常希望按照自己的设想迅速写入所需要内容的ROM。 这就出现了PROM(可编程只读存储器)。 PROM的整体结构和掩模ROM一样，也有地址译 码器、存储矩阵和输出电路组成。但在出厂时存储矩 阵的交叉点上全部制作了存储单元，相当于存入了1. 如图7.2.6所示 在图7.2.6中，三极管的be结接 在字线和位线之间，相当于字线和 位线之间的二极管。快速熔断丝接 在发射极，当想写入0时，只要把相 应的存储单元的熔断丝烧断即可。 但只可编写一次。 图7.2.6 B基极 E发射极 16 电子科学与应用物理学院 School of Electronic Science & Applied Physics 16 16 图7.2.7为16×8位 的PROM结构原理 图。写入时，要使 用编程器。 7.2.1 可编程只读存储器（PROM） 图7.2.7