共晶焊粘贴 共晶定义使它的熔点降至最低的熔态混 然后用合金方法将金粘接到基座上,基 座通常或是引线框架或是陶瓷基座(90%以 上的A1203)。典型地,基座有一个金或银的 金属化表面。当加热到420℃约6秒钟时芯片 和框架之间形成共晶合金互连。 共晶贴片提供了良好的热通路和机械强 渡。对于双极集成电路共晶焊粘贴技术更普 遍 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 共晶焊粘贴 共晶定义使它的熔点降至最低的熔态混 合。然后用合金方法将金粘接到基座上，基 座通常或是引线框架或是陶瓷基座（90％以 上的Al2O3）。典型地，基座有一个金或银的 金属化表面。当加热到420℃约6秒钟时芯片 和框架之间形成共晶合金互连。 共晶贴片提供了良好的热通路和机械强 渡。对于双极集成电路共晶焊粘贴技术更普 遍
Au-Si共晶贴片 金/硅共晶 金 Silicon Gold film Al 半导体制造技术 Figure 20.8 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda Au-Si 共晶贴片 Silicon Gold film 金/硅共晶 合金 Al2O3 Figure 20.8
引线键合 引线键合是将芯片表面的铝压点和引线框 架上的电极内端(有时称为柱)进行电连接最 常用的方法(见下图)。引线键合放置精度通 常是+5μm。键合线或是金或是铝,因为它在 芯片压点和引线框架内端压点都形成良好键合 ,通常引线直径是25~75μm之间。三种基本引 线键合的叫法各取自在引线端点工艺中使用的 能量类型。三种引线键合方法是: 热压键合 超声键合 热超声球键合 半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 引线键合 引线键合是将芯片表面的铝压点和引线框 架上的电极内端（有时称为柱）进行电连接最 常用的方法（见下图）。引线键合放置精度通 常是＋5µm。键合线或是金或是铝，因为它在 芯片压点和引线框架内端压点都形成良好键合 ，通常引线直径是25～75µm之间。三种基本引 线键合的叫法各取自在引线端点工艺中使用的 能量类型。三种引线键合方法是： • 热压键合 • 超声键合 • 热超声球键合
从芯片压点到引线框架的引线键合 芯片 压模混合物 键合的引线 压点 引线框架 管脚尖 半导体制造技术 Figure 20.9 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 从芯片压点到引线框架的引线键合 压模混合物 压点 引线框架 芯片 键合的引线 管脚尖 Figure 20.9
芯片到引线框架的引线键合 量 半导体制造技术 Photo 20.1 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda
半导体制造技术 电信学院微电子教研室 by Michael Quirk and Julian Serda 芯片到引线框架的引线键合 Photo 20.1