(2)PN结的伏安特性 令h =Ur则I=I(e-1) ↓当大于O数倍 I=1, S e>> >在常温下,T=300K, 1UU >即正向电流随正向电压的增加以指数规律 迅速增大
⑵ PN结的伏安特性 ⚫令 = ( − 1) kT qU S UT I I e q kT = ➢在常温下，T = 300K， 则 = ( − 1) UT U S I I e mV q kT UT 26 1.6 10 1.38 10 300 1 9 2 3 = = − − 当U大于UT数倍 UT U S I = I e 1 UT U e ➢即正向电流随正向电压的增加以指数规律 迅速增大
(2)PN结的伏安特性 l=leT-l 外加反向电压财,U为负值,当U比Ur大几倍时, er<<1 >即加反向电压时,PN结只流过很小的反 向饱和电流
⑵ PN结的伏安特性 ⚫外加反向电压时，U为负值，当|U|比UT大几倍时， 1 UT U e = ( − 1) UT U S I I e I≈IS ➢即加反向电压时，PN结只流过很小的反 向饱和电流
(2)PN结的伏安特性 ●画出PN结的理论伏安特 T=25℃性曲线。 1.5 曲线OD段表示PN结 0.5 Um正向偏置财的伏安特 00.255075100 性,称为正向特性; B 曲线OB段表示PN结 A 反向偏置射的伏安特 性,称为反向特性。 图4-5PN结的理论伏安特性
⑵ PN结的伏安特性 ⚫ 曲线OD段表示PN结 正向偏置时的伏安特 性，称为正向特性； ⚫ 曲线OB段表示PN结 反向偏置时的伏安特 性，称为反向特性。 U（mV） I（mA） 0 图4-5 PN结的理论伏安特性 D T=25℃ B -IS （V) 0.25 50 75 100 (uA) 0.5 1 1.5 2 ⚫画出PN结的理论伏安特 性曲线
(3)PN结的反向击穿 加大PN结的反向电压 到某一值射,反向电 流突然剧增,这种现 象称为PN结击穿,发 生击穿所需的电压称 BR 为击穿电压,如图所 af o 反向击穿的特点:反 向电压增加很小,反 向电流却急剧增加。 图46PN结反向击穿
⑶ PN结的反向击穿 ⚫ 加大PN结的反向电压 到某一值时，反向电 流突然剧增，这种现 象称为PN结击穿，发 生击穿所需的电压称 为击穿电压，如图所 示。 ⚫ 反向击穿的特点：反 向电压增加很小，反 向电流却急剧增加。 UBR U（V） I（mA） 0 图4-6 PN结反向击穿
①蕾崩击穿 由倍增效应引起的击穿。当PN结外加的反向 电压增如到一定数值时,空间电荷数目较多 旬建电场很强,使流过P结的少子漂移速 度加快,可获得足够火的动能,它们与PN结 中的中性原子碰撞附,能把价电子从共价建 中碰撞出来,产生新的电子空穴对。 委崩击穿通常发生在掺杂浓废较低的PN结中
① 雪崩击穿 ⚫由倍增效应引起的击穿。当PN结外加的反向 电压增加到一定数值时，空间电荷数目较多 ，自建电场很强，使流过PN结的少子漂移速 度加快，可获得足够大的动能，它们与PN结 中的中性原子碰撞时，能把价电子从共价建 中碰撞出来，产生新的电子空穴对。 ⚫雪崩击穿通常发生在掺杂浓度较低的PN结中