(2)P型半导体 ●(+4) 掺入硼、镓等三价元素。 八 这种半导体以空穴 (+4)● +4 导电为主,称为P型 半导体。 受主 杂质 空穴为多子; ●(+4)● +4)● 自由电子为少子。 杂质半导体中,多子浓度由杂质的含量决定,少 子的浓度主要由温度决定
(2) P型半导体 掺入硼、镓等三价元素。 空穴为多子； 自由电子为少子。 这种半导体以空穴 导电为主，称为P型 半导体。 杂质半导体中，多子浓度由杂质的含量决定，少 子的浓度主要由温度决定
3.半导体中载流子的运动 漂移运动 扩散运动 空穴电流 电子电流ⅠN 扩散电流!pD, 外电场E =I+ o o 自由电子空穴 D 在电场作用下的定向运载流子由浓度高的区域向 动。自由电子与空穴产浓度低的区城扩散 生的电流方向一致
3. 半导体中载流子的运动 漂移运动 扩散运动 在电场作用下的定向运 动。自由电子与空穴产 生的电流方向一致。 载流子由浓度高的区域向 浓度低的区域扩散
PN结的形成 在N型丰导体的基片上,采用平面扩散法等工艺, 掺入三价元素,使之形成P型区,则在P区和N区 之间的交界面处将形成一个很薄的空间电荷层, 称为PN结。PN结的典型厚度为0.5μm SiO P区 PN结N区剖面 (基片)
➢ PN结的形成 在N型半导体的基片上，采用平面扩散法等工艺， 掺入三价元素，使之形成P型区，则在P区和N区 之间的交界面处将形成一个很薄的空间电荷层， 称为PN结。PN结的典型厚度为0.5m
P区 N区 PN结→ ooo9o00oo oOOOOOO: oOO ooooolQoooo oooooooooo 内建电场E P区空穴(多子)向N区扩散 留下不能移动的负离子; 内建 电位电位分布曲线 N区电子(多子)向P区扩散, 留下不能移动的正离子; 0 正负离子形成空间电荷层。 内电场是多子的扩散运 动引起的
P区空穴(多子)向N区扩散， 留下不能移动的负离子； N区电子(多子)向P区扩散， 留下不能移动的正离子； 正负离子形成空间电荷层。 内电场是多子的扩散运 动引起的
内电场的影响 扩散电流(多子 P IOO:N 阻碍多子的扩散运动 多子;“·多子 促进少子的漂移运动 多子扩散运动使PN结变厚 少子·O同;“0少子 少子漂移运动使PN结变薄 漂移电流(少子) 没有外加电压肘,多子扩散电流与少子漂移电流达 到动态平衡。 「名称]:空间电荷层、势垒区、阻挡层、高阻区 阻挡层:强调对多子扩散运动的阻挡作用 耗尽层:强调PN结内的载流子浓度减到最小
内电场的影响： • 阻碍多子的扩散运动 • 促进少子的漂移运动 多子扩散运动使PN结变厚 少子漂移运动使PN结变薄 没有外加电压时，多子扩散电流与少子漂移电流达 到动态平衡。 [名称]：空间电荷层、势垒区、阻挡层、高阻区 阻挡层：强调对多子扩散运动的阻挡作用 耗尽层：强调PN结内的载流子浓度减到最小