电光调制器 ◇电光效应： 对于某些电光晶体，如磷酸二氢 钾(KDP)晶体、铌酸锂(LiTaO,)晶体、 砷化钾(GaAs)晶体等，当被施加电场时， 其折射率将发生微小的变化。 ◆泡科尔(Pockel's)效应：折射率的变化量 正比于外加电场强度 ◇克尔(KlI)效应：折射率的变化量正比于 外加电场强度的二次方 ◇电光波导调制器的工作机理基于泡科尔效应， 其形式和结构是多种多样的，有强度调制和 相位调制等
电光调制器 电光效应：对于某些电光晶体，如磷酸二氢 钾（KDP）晶体、铌酸锂（LiTaO3）晶体、 砷化钾（GaAs）晶体等，当被施加电场时， 其折射率将发生微小的变化。 泡科尔（Pockels）效应：折射率的变化量 正比于外加电场强度 克尔（Kell）效应：折射率的变化量正比于 外加电场强度的二次方 电光波导调制器的工作机理基于泡科尔效应， 其形式和结构是多种多样的，有强度调制和 相位调制等
相位调制的原理 偏振片xKDP电光晶体 功率恒定光 相位受到调制 输入光束 输出光束 ny no-2nor6sE: 3 n,=几+n63E: 2c
相位调制的原理 y z x z n n n r E n n n r E 63 3 2 0 1 0 63 3 2 0 1 0 = + = − x Ez n r c L 63 3 0 2 = −
电光强度调制 起偏器x'电光晶体 检偏器 入射光波 输出调制光
电光强度调制
3 e,=4expijLow-%(m,-号 6E)z]} 2 ey Aexpifat-(no+ C rE. 2 A ee-3e- v2 π =242sin2 2
) ] } 2 exp{ [ ( ) ] } 2 exp{ [ ( 63 3 0 0 63 3 0 0 r E z n n c e A j t r E z n n c e A j t y z x z = − + = − − ( 1) 2 ( ) 2 = + = − j t − j − j j t − j out e e A e e e A e 2 2 sin 2 2 0 I = A V V r E L c n = 63 z = 3 0
出 个 100 透射强度 时间 50 0 Vr 外加电压 调制电压