(四)、PN结的电容效应 PN复合结构可细分为两部分,接合部附近称为结, 也叫空间电荷区。结两边的区域称为扩散区 在上述两区域内,离子电荷、载流子浓度随外加电 压的变化而变化,是影响PN结电流电压特性的根本原因。 这两个区域的变化过程类似于电容的充放电过程。空间 电荷区等效为位垒电容,扩散区等效为扩散电容 了解PN结内部的变化过程,对理解二极管的开关特 性具有重要意义
（四）、PN结的电容效应 PN 复合结构可细分为两部分，接合部附近称为结， 也叫空间电荷区。 结两边的区域称为扩散区。 在上述两区域内，离子电荷、载流子浓度随外加电 压的变化而变化，是影响PN结电流电压特性的根本原因。 这两个区域的变化过程类似于电容的充放电过程。空间 电荷区等效为位垒电容，扩散区等效为扩散电容。 了解PN结内部的变化过程，对理解二极管的开关特 性具有重要意义
晶体二极管的开关特性 二极管(就是一个PN结)具有单向导电性,理想二 极管如同一个开关。但实际二极管与理想的二极管还是有 些区别的,特别是在高频电路中,必须加以注意。 )、二极管稳态开关特性i=Is(eqw(kT)-1) v=0时0; v为负时,I=-Is v为正时, =Is e qV/(kT) 理想/实际二极管: 导通:端电压=0/VD Is 截止:I=0/-IS
二、 晶体二极管的开关特性 二极管（就是一个PN结）具有单向导电性，理想二 极管如同一个开关。但实际二极管与理想的二极管还是有 一些区别的，特别是在高频电路中，必须加以注意。 （一）、二极管稳态开关特性 i = Is ( e q v / ( k T ) - 1 ) v=0时 I=0； v为负时，I= - Is v为正时， I=Is e q v / ( k T ) 理想/实际二极管： 导通：端电压=0 / VD 截止：I = 0 / -IS