(2)输入有低电平0.3V时 由于T4和D导通,所以: 该发射结导通,VB1=1v。T2、T3都截止。 ≈ CC BE4 D 忽略流过Rc2的电流,IB4≈V=5V 5-0.7-0.7=3.6(V) 实现了与非门的逻辑 功能的另一方面: +vcc 输入有低电平时, Rc2 R 输出为高电平。 R 1.6kg 130g 4k9 5V T,导通 综合上述两种情况 ,3.6V1V 4.3V 该电路满足与非的 D导通 T2截止 逻辑功能,即: B T1 3.6V 饱和 L=A·B.C 截止 0.3V 1k Q2
该发射结导通，VB1=1V。T2、T3都截止。 （2）输入有低电平0.3V 时。 3.6V 0.3V V +V 1 2 3 1 2 3 1 2 3 D 1 3 1.6kΩ 4kΩ T C T 1kΩ 截止 e2 导通 饱和 4 o 截止 T 130Ω R b 1 2 导通 T R R B CC 3 c2 1 A Rc4 实现了与非门的逻辑 功能的另一方面： 输入有低电平时， 输出为高电平。 忽略流过RC2的电流，VB4≈VCC=5V 。 由于T4和D导通，所以： VO≈VCC-VBE4-VD =5-0.7-0.7=3.6（V） L = ABC 综合上述两种情况， 该电路满足与非的 逻辑功能，即： 1V 5V 4.3V3.6V
二、TL与非门的开关速度 1.TTL与非门提高工作速度的原理 (1)采用多发射极三极管加快了存储电荷的消散过程。 +vcc R 1.6kg 4k Q2 3.6V IV 14V A B TβiB 0.7V 0.3V 1k Q2
二、TTL与非门的开关速度 1．TTL与非门提高工作速度的原理 （1）采用多发射极三极管加快了存储电荷的消散过程。 +V V 0.3V 3.6V 1 2 3 1 2 3 1 3 β b 1 4kΩ B1 0.7V T i i B1 1 1kΩ B R 1.6kΩ c2 e2 1.4V T A 1V T R CC R 2 o C 3
(2)采用了推拉式输出级,输出阻抗比较小,可迅速 给负载电容充放电。 +vcc (+5v) +Cc(+5V) R 导通 截止 充电 导通 截止Y 3 截止 导通放电
（2）采用了推拉式输出级，输出阻抗比较小，可迅速 给负载电容充放电。 +V +V V V 1 2 3 1 2 3 D D 1 2 3 1 2 3 （ +5V） （ +5V） o CC 放电 CC L R C T T4 导通 T o 截止 L c4 3 T R 导通 3 截止 4 截止 充电 导通 c4 C
2.TTL与非门传输延迟时间pd tpHL Plh 导通延迟时间tm一从输入波形上升沿的中点到输出波形下降沿的 中点所经历的时间。 截止延迟时间t从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿的 中点所经历的时间。 与非门的传输延迟时间tm+tpmL 一般TTL与非门传输延迟时间t的值为几纳秒~十几个纳秒
2．TTL与非门传输延迟时间tpd 导通延迟时间tPHL——从输入波形上升沿的中点到输出波形下降沿的 中点所经历的时间。 一般TTL与非门传输延迟时间tpd的值为几纳秒～十几个纳秒。 截止延迟时间tPLH——从输入波形下降沿的中点到输出波形上升沿的 中点所经历的时间。 2 PLH PHL pd t t t + 与非门的传输延迟时间t = pd： t PHL t PLH Vo Vi
三、TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力 R 1.电压传输特性曲线 R 1.6k91309 A T2 1(V B T 4.0 1A B R 3.5 IK 3.0 0H(min)2.524V 2.0 OL (max 0.4 D E 0.51.01.52.02.53.03.54.0 vFⅤ
i V 0.5 2.0 V 3.0 2.5 3.5 (V) 1.5 (V) 1.0 2.5 3.0 4.0 1.0 3.5 0.5 4.0 2.0 o 1.5 三、TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力 1．电压传输特性曲线： Vo =f（Vi） V +V 1 3 1 2 3 1 2 3 D 1 2 3 1K 2 1 T B R C e2 T o 3 T A i V 4 T 4kΩ c4 R R CC b1 1.6kΩ R 130Ω c2 A B C D E VO H （ m i n ） 2.4V VO L （ m a x ） 0.4V VOFF VON