(2)、伏安特性 U 通压降:硅 E 0.6-0.7V,储 管0.2=0.3V。 U 反向漏电流 死区电压硅管 (很小,pA级 0.5V储管02V
(2)、伏安特性 U I 导通压降: 硅 管0.6~0.7V,锗 管0.2~0.3V。 反向击穿电 压U(BR) 死区电压 硅管 0.5V,锗管0.2V。 I U E + - 反向漏电流 （很小，A级）
极管的几个参数 材料开启电压导通电压反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~08V 1uA以下 锗Ge O1V 0.1~03v 几十A 最大整流电流:平均电流 最高反向工作电压U卫:瞬时值 反向电流l:I,是对温度很敏感的参数 最高工作频率f:结电容作用的结果
二极管的几个参数 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1µA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十µA 最大整流电流IF：平均电流 最高反向工作电压UR：瞬时值 反向电流IR： IS，是对温度很敏感的参数 最高工作频率fM：结电容作用的结果