多晶硅薄膜热结晶结构示意图: 晶粒(L) 晶界 量粒中性区 晶迟 P-Si 区 图82多晶硅薄膜晶粒微结构示意图 L-2W ●电阻率:p= 人"x- pb
多晶硅薄膜热结晶结构示意图： L-2W 2W 电阻率：ρ =-----------ρg+---------ρb L L
第二节薄膜应变片 薄膜应变片简介 传统应变片:用金属丝粘贴或硅扩散(粘 贴)的办法制作。 特点:价格便宜、结构简草、使用方便, 但由于粘贴式工艺帶来敏感层与基片之 间的形变传递性能不好,影响了测量精 度
第二节 薄膜应变片 一、薄膜应变片简介 传统应变片：用金属丝粘贴或硅扩散（粘 贴）的办法制作。 特点：价格便宜、结构简单、使用方便， 但由于粘贴式工艺带来敏感层与基片之 间的形变传递性能不好，影响了测量精 度