1.P型半导体大在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子，由热激发形成空位很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因接受电子而称为受主杂质0HOMEBACKNEXT
在P型半导体中空穴是多数载流子，它主 要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由 热激发形成。 空位很容易俘获电子，使杂质原子成为 负离子。三价杂质因接受电子而称为受主杂 质。 1. P型半导体
2.N型半导体因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无施主正离子共价键束缚而很容易形成自由电子。从而在半图216N型半导体的共价键结构导体中形成大量的自由电子。HOMEBACKNEXT
2. N型半导体 因五价杂质原子中 只有四个价电子能与周 围四个半导体原子中的 价电子形成共价键，而 多余的一个价电子因无 共价键束缚而很容易形 成自由电子。从而在半 导体中形成大量的自由 电子
2.N型半导体在N型半导体中自由电子是多数载流子，“它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子，由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因失去电子而带上正电荷成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质HOMENEXT
在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原 子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因失去电子而带上正电荷 成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。 2. N型半导体
米3.杂质对半导体导电性的影响掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据如下：T=300K室温下，本征硅的电子和空穴浓度：n=p=1.4x1010/cm掺杂后N型半导体中的自由电子浓度：n=5×1016/cm本征硅的原子浓度：4.96×1022/cm以上三个浓度基本上依次相差10cm3HOMEBACKNEXT
掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106 /cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3 3. 杂质对半导体导电性的影响
米2.2.1PN结的形成在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程：多子的扩散运动→由杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场?内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡HOMEBACKNEXT
2.2.1 PN结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂 质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在 N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物 理过程: 空间电荷区形成内电场 内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 多子的扩散运动→ 由杂质离子形成空间电荷区