原理：入射光照射在PN结上时，若光子能量大于半导体材料的禁带宽度E.时，则在PN结内产生电子空穴对，它们的移动使PN结产生电势三价五价PN空穴电子
原理： 入射光照射在PN结上时，若光子能量大于 半导体材料的禁带宽度Eg时，则在PN结内产 生电子空穴对，它们的移动使PN结产生电势。 - + P N 三价 空穴 五价 电子 - + + -
三、内光电效应器件1、光敏电阻结构：电极半导体Ra玻璃底板州B原理：照射光强个→RG↓→I光照停止，RG恢复
三、内光电效应器件 1、光敏电阻 结构： 原理：照射光强↑→RG↓→ I↑ 光照停止， RG恢复
主要参数：暗电阻：不受光照射时的电阻1~10MQ（大好）亮电阻：受光照射时(100LX）的电阻几百至数千2（小好）暗电流：对应暗电阻的电流（小好）1,mAI,UA250200伏安特性光照特性无光照0.BF,lm0.60.20.4亮电流：对应亮电阻的电流（大好）光电流：亮电流-暗电流（大好）
主要参数： 暗电阻：不受光照射时的电阻1~10MΩ （大好） 亮电阻：受光照射时(100LX ）的电阻几百至数千Ω （小好） 暗电流：对应暗电阻的电流（小好） 亮电流：对应亮电阻的电流（大好） 光电流：亮电流 - 暗电流（大好） 伏安特性 光照特性