1.1.1半导体及FN结 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质,就会 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 N型半导体:自由电子浓度大大增加的杂质半导体 也称为(电子半导体)。 P型半导体:空穴浓度大大增加的杂质半导体,也 称为(空穴半导体)。 BACKNEX
二、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺 杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也 称为（空穴半导体）。 N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体， 也称为（电子半导体）。 1.1.1 半导体及PN结
1.1.1半导体及FN结 (一)、N型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 (或锑),晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代,磷原子的最外层有五个价电子 其中四个与相邻的半导体原子形成共价键, 必定多出一个电子,这个电子几乎不受束缚, 很容易被激发而成为自由电子,这样磷原子 就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 子给出一个电子,称为施主原子。 BACK NEX
（一）、N 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 （或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子， 其中四个与相邻的半导体原子形成共价键， 必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚， 很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子 就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 子给出一个电子，称为施主原子。 1.1.1 半导体及PN结
1.1.1半导体及结 多余 N型半导体中的 电子 载流子是什么? +4 +4 1.由施主原子提供的 心冷电子,浓度与施主原 磷原子 +5 +4 子相同。 2.本征半导体中成对 产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。 BACK NEX
+4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 N 型半导体中的 载流子是什么？ 1.由施主原子提供的 电子，浓度与施主原 子相同。 2.本征半导体中成对 产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 1.1.1 半导体及PN结
1.1.1半导体及FN结 (二)P型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素, 如硼(或铟),晶体点阵中的某些半导体 原子被杂质取代,硼原子的最外层有三个 价电子,与相邻的半导体原子形成共价键 时,产生一个空穴。这个空穴可能吸引束 缚电子来填补,使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。由于硼原子接受电子, 所以称为受主原子。 BACK NEX
（二）P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素， 如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体 原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个 价电子，与相邻的半导体原子形成共价键 时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束 缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动 的带负电的离子。由于硼原子接受电子， 所以称为受主原子。 1.1.1 半导体及PN结
1.1.1牛导体及型N结 空穴题 448 +3) +4 硼原子ggA P型半导体中空穴是多子,电子是少子。 BACKNEX
P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 1.1.1 半导体及PN结