模拟电子电路基碰 一半导体器件概述(总的要求:掌握) 1半导体材料的导电特性及导电机制∫征半导体 N型 (要求:一般了解) 杂质半导体 单向导电性(要求掌据)P型 反相击穿(要求:了解) 2PN结的形成和电特性{ V特性iD=ls(e"-1)要求:掌握) 电容效应(要求:一般了解) 类型及特点(要求:了解)(限幅(要求:掌握) 3二极管{参数(要求:了解)应用」整流(要求:握 逻辑门(要求: 建模分析(要求:掌握)(电平移动或稳压 题型:1.2,13 (要求:掌握)
1半导体材料的导电特性及导电机制 (要求:一般了解) 一 半导体器件概述 N型 P型 2 PN结的形成和电特性 本征半导体 杂质半导体 3 二极管 电容效应 (要求:一般了解) 单向导电性 (要求:掌握) 反相击穿 (要求:了解) V-I特性 ( 1) / D S D = − v VT i I e (要求:掌握) 应用 整流 逻辑门 电平移动或稳压 限幅 (要求:掌握) (要求:掌握) (要求:掌握) (要求:了解) 类型及特点 参数 建模分析 (要求:了解) (要求:了解) (要求:掌握) (总的要求:掌握) 题型：1.2，1.3
模拟电子电路基碰 1.稳压二极管(要求:重点掌握) 3特殊二极管2变容二极管。(要求:一般了解题型:14, 1.5及教案 3光电二极管(要求:一般了解)中的题型 4发光二极管(要求:般了解) 4三极管(BJT和FET)(总的要求:重点掌握) ①结构特点(要求:了解及基本类型(要求:重点掌握) ②电流放大原理(要求掌握及工作条件(要求:重点掌握) ③工作状态的划分(要求:重点掌握) ④参数与电路模型(要求:重点掌)题型:1.6,1,1.9,1 5集成运算放大器(总的要求:重点掌握) HOME 题型:结合后续章节的内容 BACKNEXT
① 结构特点(要求:了解)及基本类型 (要求:重点掌握) ② 电流放大原理(要求:掌握)及工作条件 (要求:重点掌握) ③ 工作状态的划分 (要求:重点掌握) ④ 参数与电路模型 (要求:重点掌握) 4 三极管(BJT和FET) (总的要求:重点掌握) 3 特殊二极管 1.稳压二极管 (要求:重点掌握) 2.变容二极管 (要求:一般了解) 3.光电二极管 (要求:一般了解) 4.发光二极管 (要求:一般了解) 题型：1.4， 1.5及教案 中的题型 题型：1.6,1.7,1.9,1.11 5 集成运算放大器 (总的要求:重点掌握) 题型：结合后续章节的内容
模拟电子电路基碰 二基本运算电路(总的要求重点掌握) (1)逻辑运算电路(要求:一般了解) 同相 (2)集成运放运算电路①比例运算电路 (要求:重点掌握)[反相 题型:2.7,29,2.10,2.11 同相 2.12,2.13,2.14,2.16 ②加法运算电路 (要求:重点掌握[反相 单运放差分电路 ③加减运算电路 (要求:重点掌(多运放级联 ④微积分运算电路(要求:重点掌握) HOME ⑤对数与指数电路(要求;掌想pt
二 基本运算电路 (总的要求:重点掌握) (1)逻辑运算电路 (要求:一般了解) 同相 反相 ① 比例运算电路 同相 反相 ② 加法运算电路 单运放差分电路 多运放级联 ③ 加减运算电路 ④ 微积分运算电路 (2)集成运放 运算电路 (要求:重点掌握) (要求:重点掌握) (要求:重点掌握) (要求:重点掌握) 题型：2.7,2.9, 2.10, 2.11, 2.12,2.13,2.14,2.16 ⑤ 对数与指数电路 (要求:掌握)
模拟电子电路基碰 三基本放大电路(BJT和FET)(总的要求重点掌握) 1基本组成及工作原理(要求:掌握) (共集电极、共发射极、共基极、共漏极、共源极、共栅极) 2正常工作的基本条件(要求:重点掌握 (NPN管、PNP管、N和P沟道FET、N和P沟道增强型或耗尽型 MOSFET) 3基本分析方法(要求:重点掌握) 静态和动态 题型:36,37,3.8 ①两种工作状态的划分 3.10,3.123.153.18 (要求重点掌握)(直流和交流通路 ⑨静态、动态性能指标的计算(要求:重点掌握) A放大电路的静态工作点( BOSICQVCEQSVGSO SQDQ9 DSQ B放大电路模型及有关参数的获得(rm,gm等) C动态性能指标(R1,R,AAs) BACKNEXT
三 基本放大电路(BJT和FET) 1 基本组成及工作原理 (共集电极、共发射极、共基极、 共漏极、共源极、共栅极） 2 正常工作的基本条件 (NPN管、PNP管、N和P沟道FET、N和P沟道增强型或耗尽型MOSFET） 3 基本分析方法 (总的要求:重点掌握) (要求:掌握) (要求:重点掌握) (要求:重点掌握) ① 两种工作状态的划分 (要求:重点掌握) 静 态 和 动 态 直流和交流通路 ②静态、动态性能指标的计算 A 放大电路的静态工作点(IBQ,ICQ,VCEQ,VGSQ,IDQ,VDSQ) C 动态性能指标(Ri , Ro ,AV,AVS) B 放大电路模型及有关参数的获得(rbe,gm等) (要求:重点掌握) 题型：3.6,3.7, 3.8, 3.10,3.12,3.15,3.18
模拟电子电路基碰 4温度对半导体器件及静态工作点的影响(要求:了解 5电流源偏置电路(要求:重点掌握) 题型:结合后续章节的内容特别是差动放大电路) 6放大电路的通频带(要求:了解) 四组合放大电路(总的要求:重点掌握) 1一般组合放大电路(要求:重点掌握)题型:4.5,46,411.14 ◆注意电流源偏置电路在其中的应用 2差分放大器(要求:重点掌握) ①零点漂移的基本概念(要求掌握 ②差分放大器的设计思想(要求:掌握) HOME BACKNEXT
4 温度对半导体器件及静态工作点的影响 (要求:了解) 5 电流源偏置电路 (要求:重点掌握) 题型：结合后续章节的内容(特别是差动放大电路)。 6 放大电路的通频带 (要求:了解) 四 组合放大电路 (总的要求:重点掌握) 1 一般组合放大电路 (要求:重点掌握) 题型：4.5,4.6, 4.11, 4.14 ◆注意电流源偏置电路在其中的应用 2 差分放大器 ① 零点漂移的基本概念 ② 差分放大器的设计思想 (要求:掌握) (要求:重点掌握) (要求:掌握)