1.1.1牛导体及型N结 形成共价键后,每个原子 的最外层电子是八个,构成稳 ●●定结构。 共价键有很强的结合力 KQIK(Ix\ 使原子规则排列,形成晶体。 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为 束缚电子,常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子,因此本征半导体中的自由电子很少,所以 本征半导体的导电能力很弱。 BACK NEX
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为 束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自 由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以 本征半导体的导电能力很弱。 形成共价键后，每个原子 的最外层电子是八个，构成稳 定结构。 共价键有很强的结合力， 使原子规则排列，形成晶体。 +4 +4 +4 +4 1.1.1 半导体及PN结
1.1.1半导体及FN结 (二)本征半导体的导电机理 1.载流子、自由电子和空穴 在绝对0度(T=0K)和没有外界激发时,价 电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有 可以运动的带电粒子(即载流子),它的导电 能力为0,相当于绝缘体, 在常温下,由于热激发,使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电 子,同时共价键上留下一个空位,称为空穴。 BACKNEX
（二）本征半导体的导电机理 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价 电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有 可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电 能力为 0，相当于绝缘体。 在常温下，由于热激发，使一些价电子获 得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电 子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。 1.载流子、自由电子和空穴 1.1.1 半导体及PN结
1.1.1半导体及FN结 空穴 自由电子 Ny外 +4 +4 >y身 束缚电子 BACKNEX
+4 +4 +4 +4 空穴 自由电子 束缚电子 1.1.1 半导体及PN结
1.1.1牛导体及型N结 2本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即 自由电子和空穴。 在其它力的作用下, 空穴吸引附近的电子 +4 来填补,这样的结果 5题相当于空穴的迁移, 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动,因此 x-、|可以认为空穴是载流 子 BACK NEX
2.本征半导体的导电机理 在其它力的作用下， 空穴吸引附近的电子 来填补，这样的结果 相当于空穴的迁移， 而空穴的迁移相当于 正电荷的移动，因此 可以认为空穴是载流 子。 +4 +4 +4 +4 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即 自由电子和空穴。 1.1.1 半导体及PN结
1.1.1半导体及FN结 本征半导体中电流由两部分组成: 1.自由电子移动产生的电流。 2.空穴移动产生的电流。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强,温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素,这是半导体的 大特点。 BACKNEX
温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半 导体的导电能力越强，温度是影响半导体性 能的一个重要的外部因素，这是半导体的一 大特点。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。 1.1.1 半导体及PN结