第2章晶体三极管 21.3放大模式下三极管的模型 数学模型(指数模型 三极管的正向受控作用,服从指数函数关系式: CmE一mEBs(e BE T-1)≈Ise 式中 I =al EBs s指发射结反向饱和电流EBs转化到集电极上的电流 值,它不同于二极管的反向饱和电流Is。 制作:大连海事大学研究室
三极管的正向受控作用，服从指数函数关系式： 2.1.3 放大模式下三极管的模型 ➢ 数学模型(指数模型) T B E T B E (e 1) e C E EBS S V V V V I I =I − I IS 指发射结反向饱和电流 IEBS 转化到集电极上的电流 值，它不同于二极管的反向饱和电流 IS。 S EBS 式中 I =I 第 2 章 晶体三极管
第2章晶体三极管 放大模式直流简化电路模型 共发射极 电路模型 直流简化电路模型 B B C B C B o+L C B BE OlIV BE(on) B CE E OEeo OE E E BE(on) 为发射结导通电压,工程上一般取: 硅管V BE(on) =0.7V 锗管 VBE=0.25V 制作:大连海事大学研究室
➢ 放大模式直流简化电路模型 E C B E T IC IB 共发射极 VBE(on) 为发射结导通电压，工程上一般取： 硅管 VBE(on)= 0.7 V 锗管 VBE(on)= 0.25 V 第 2 章 晶体三极管 电路模型 VBE + - E B C E IB IC IB VCE + - 直流简化电路模型 VBE(on) E B C E IB IC I B + - + - VCE
第2章晶体三极管 ☆三极管参数的温度特性 温度每升高1°C,△BB增大0.5%~1%,即 △B B(0.005~0.01)/°C 口温度每升高1C, VBE(on)减小(2~25)mV,即 △ BE(on -(2~25)mv"C △T 口温度每升高10°C,IcBo增大一倍,即 CBO(2 CBo(T1)×210 制作:大连海事大学研究室
❖ 三极管参数的温度特性 ❑ 温度每升高1C，/ 增大 0.5% 1%，即 ❑ 温度每升高1 C ，VBE(on) 减小 (2 2.5) mV，即 ❑ 温度每升高10 C ，ICBO 增大一倍，即 1 0 CB O 2 CB O 1 2 1 ( ) ( ) 2 T T I T I T − = = (0.005 ~ 0.01)/C T (2 ~ 2.5) mV/ C BE(on) = − T V 第 2 章 晶体三极管
第2章晶体三极管 22晶体三极管的其他工作模式 22.1饱和模式(E结正偏,C结正偏) E F RIr C FIE R C R R 结论:三极管失去正向受控作用。 制作:大连海事大学研究室
N P N + V1 V2 R1 R2 2.2 晶体三极管的其他工作模式 2.2.1 饱和模式(E 结正偏，C 结正偏) - + IF FIF + - R IR IR IE = IF - RIR IC IC = F IF - IR IE 结论：三极管失去正向受控作用。 第 2 章 晶体三极管
第2章晶体三极管 饱和模式直流简化电路模型 共发射极 电路模型 直流简化电路模型 B C B O C B B C B BE CE(sat) BE(on) CE(sat) E E E OE E E 通常,饱和压降VCEe3m 硅管vcE(s≈0.3V 锗管VcE(sm0.1V 若忽略饱和压降,三极管输出端近似短路。 即三极管工作于饱和模式时,相当于开关闭合 制作:大连海事大学研究室
➢ 饱和模式直流简化电路模型 E C B E T IC IB 共发射极 通常，饱和压降VCE(sat) 硅管 VCE(sat) 0.3 V 锗管 VCE(sat) 0.1 V 电路模型 VBE + - E B C E IB IC + - VCE(sat) 直流简化电路模型 VBE(on) E B C E IB IC + - + - VCE(sat) 若忽略饱和压降，三极管输出端近似短路。 即三极管工作于饱和模式时，相当于开关闭合。 第 2 章 晶体三极管