二.杂质半导体 1.n型半导体 四价的本征半导体S、Ge等,掺入少量 五价的杂质( impurity)元素(如P、As 等)形成电子型半导体称n型半导体 量子力学表明,这种掺杂后多余的电子的 能级在禁带中紧靠空带处,ΔED~10-2eV, 极易形成电子导电。 该能级称为施主( donor)能级
6 二. 杂质半导体 1. n型半导体 四价的本征半导体Si、Ｇｅ等，掺入少量 五价的杂质（impurity）元素（如P、As 等）形成电子型半导体,称n 型半导体。 量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的 能级在禁带中紧靠空带处, ED ～10-2eV， 极易形成电子导电。 该能级称为施主（donor）能级
n型半导体 Sill Si SillS △E D 空带 Si Sil 施主能级 △E S 满带 在n型半导体中 电子…多数载流子 空穴…少数载流子
7 n 型半导体 在 n 型半导体中 电子……多数载流子 空 带 满 带 施主能级 ED Eg Si Si Si Si Si Si Si P 空穴……少数载流子