静磁场 Xidian University 2.矢势的形式解 ◆4 A J(F)dv' 4-#20 已知电流密度,可从方程直接积分求解,但一般电流分 布与磁场相互制约,因此一般情况需要求解矢量泊松方程。 3.B的解 8-eo2-I7rw 背如 这正是毕奥-一萨伐尔定律 西安电子科技大学
西安电子科技大学 3 ( ) 1 ( ) ( ) 4 4 ( ) 4 V V V J r B A dV J r dV r r r r J r r r dV r r 2.矢势的形式解 ( ) 4 V J r dV A r r 已知电流密度,可从方程直接积分求解,但一般电流分 布与磁场相互制约,因此一般情况需要求解矢量泊松方程。 3.B 的解 这正是毕奥-- 萨伐尔定律 1 ( ) 4 V r dV r r 通过类比 ( ) 4 i i V J r dV A r r 静磁场
静磁场 Xidian University 4.A的边值关系* (a)n(B2-B1)=0 →n(7×A2-V×A)=0 d=(A )Al →A=A ∮Aai=J、B.s一0 V.A-0 Ain =A2n A1=A2 西安电子科技大学
西安电子科技大学 A 4. 的边值关系 * A2t A1t A=0 A A 1 2 L t t A dl (A A ) l 2 1 L S A dl B dS 0 1 2 n A A 1n 2n ( ) 0 ( ) 0 2 1 2 1 n A A n B B (a) 静磁场
静磁场 Xidian University (b)n×(H2-H)=a → 7 ix(x成-4xi)=a 特殊情况: ①若分界面为柱面,柱坐标系中当 A=Ae,a=ae. 1 04 1 1 ②若分界面为球面,当 A=Aeo a=aio 西安电子科技大学
西安电子科技大学 A Ae e z z A Ae e ) 1 1 ( ( ) 1 1 2 2 2 1 n A A (b) n H H 特殊情况: ① 若分界面为柱面,柱坐标系中当 ② 若分界面为球面,当 z x y A r A r A 2 2 1 1 1 1 ( ) 1 ( ) 1 [ 1 2 2 1 1 rA r rA r r ] x z y A 静磁场
静磁场 Xidian University 5.矢量泊松方程解的唯一性定理 定理:给定V内传导电流,和V边界S上的A,或B, V内稳恒电流磁场由V2A=-和边界 条件唯一确定。 三.稳恒电流磁场的能量 已知均匀介质中 W- 总能量为 1.在稳恒场中 W-3LA.Jav ①能量分布在磁场内,不仅分布在电流区。 ② Aj不是能量密度。 2 西安电子科技大学
西安电子科技大学 5.矢量泊松方程解的唯一性定理 定理:给定V内传导电流 和V边界S上的 或 V 内稳恒电流磁场由 和边界 条件唯一确定。 J At Bt A J 2 三.稳恒电流磁场的能量 已知均匀介质中 总能量为 W B HdV 2 1 1.在稳恒场中 W A JdV 2 1 ② A J 不是能量密度。 2 1 ① 能量分布在磁场内,不仅分布在电流区。 静磁场
静磁场 Xidian University ③导出过程 7(f×8)=(V×f)8-f·(V×8 B.i=(V×A·i =V.(A×)+A(V×) ∫V.(Ax Hdv =V(A×i)+Aj =∮,(dxi)=0 W siar-(diw4r -ifi 西安电子科技大学
西安电子科技大学 B H A H ( ) ③ 导出过程 (A H) A ( H) A H A J ( ) A JdV 2 1 ( ) ( ) 0 V S A H dV A H dS ( f g) ( f ) g f ( g) W B HdV 2 1 A H dV A JdV 2 1 ( ) 2 1 静磁场