Q3.1半导体三极管 Q3.2共射板放大电路 3.3图解分析法 Q3.4小信号模型分析法 Q3.5放大电路的工作点稳定情况 Q3.6共电极电路和共基极电路 3.7放大电路的频率9应
3.1 半导体三极管 3.2 共射极放大电路 3.3 图解分析法 3.4 小信号模型分析法 3.5 放大电路的工作点稳定情况 3.6 共集电极电路和共基极电路 3.7 放大电路的频率响应
第三章半导体三极管及放大电路基础 教学内容: 本章首先讨论了半导体三极管(BJT 的结构、工作原理、特性曲线和主要参 数。随后着重讨论了BJT放大电路的 种组态,即共发射极、共集电极和共基 极三种基本放大电路。还介绍了图解法 和小信号模型法,并把其作为分析放大 电路的基本方法
第三章 半导体三极管及放大电路基础 教学内容： 本章首先讨论了半导体三极管(BJT) 的结构、工作原理、特性曲线和主要参 数。 随后着重讨论了BJT放大电路的三 种组态，即共发射极、共集电极和共基 极三种基本放大电路。还介绍了图解法 和小信号模型法，并把其作为分析放大 电路的基本方法
教学要求: 本章需重点掌握三极管的模型与 特性;并能熟练进行基本放大电路静 态工作点的确定和输入电阻、输出电 阻、电压放大倍数的计算
教学要求： 本章需重点掌握三极管的模型与 特性；并能熟练进行基本放大电路静 态工作点的确定和输入电阻、输出电 阻、电压放大倍数的计算
3.1半导体BJT BJT是通过一定的工艺,将两个PN 接合在一起而构成的器件。BJT有两种类 型:NPN型和PNP型。其内部特点是发射 区杂质浓度远大于基区杂质浓度,基区厚 度很小。外部放大条件是发射结正向偏置 集电结反向偏置
3.1 半导体BJT BJT是通过一定的工艺，将两个PN结 接合在一起而构成的器件。 BJT有两种类 型：NPN型和 PNP型。其内部特点是发射 区杂质浓度远大于基区杂质浓度，基区厚 度很小。外部放大条件是发射结正向偏置、 集电结反向偏置
3.1.1BJT的结构 当两块不同类型的半导体结合在一起时, 它们的交界处就会形成PN结,因此BJT有两 个PN结:发射区与基区交界处的PN结称为 发射结,集电区与基区交界处的PN结称为 集电结,两个N结通过很薄的基区联系着 同样,PNP型与NN型相似,特性几乎相同, 只不过各点极端的电压极性和电流流向不同 而口
3.1.1 BJT的结构 当两块不同类型的半导体结合在一起时， 它们的交界处就会形成PN结，因此BJT有两 个PN 结：发射区与基区交界处的PN结称为 发射结，集电区与基区交界处的 PN结称为 集电结，两个PN 结通过很薄的基区联系着。 同样，PNP型与 NPN型相似，特性几乎相同， 只不过各点极端的电压极性和电流流向不同 而已