MOS晶体管作为压控电阻 G D R +G (U in) G D N-MOS P-MOS
MOS 晶体管作为压控电阻 N-MOS P-MOS +G - S D - G S - D + + S G D S G D G (U in) S D R
CMOs反向器 VDD=+5V Vout Q2 p-Channel n +5v Vout 5.0V N N-Channel 3.5V 3.5v Q1 1.5v 0.0v +5v Vin 0102 Vout 开 Vin 0.0V off on50v 1.5V 5.0v|on off.0
CMOS 反向器 Vin Vout VDD=+5v N-Channel p-Channel Q2 Q1 Vin Q1 Q2 Vout 0.0V off on 5.0v 5.0v on off 0.0 0.0v 5.0v Vout Vin 0 关 门 开 门 ＋５v +5v 3.5v 1.5v 3.5V 1.5V Ip IN
CMOs反向器 +vdd NC VDD 01 06 I1 16 P--channe NC I 5 12 03 I5 I3 04 10 VSS 14 小- channel 4009
CMOS 反向器
说明 当Vin加低电平时,P沟道场效应晶体管导 通,有电流流过沟道,沟道电阻很小,输 出电压∨out约为+5V; 当Vin逐渐增大,P沟道晶体管截止,N沟道 场效应晶体管导通,在1.5V-35V期间为不 稳定区间,变化很快,最终N沟道导通,P 沟道截止,输出为低电平
说明 ➢当Vin加低电平时，P沟道场效应晶体管导 通，有电流流过沟道，沟道电阻很小，输 出电压Vout约为+5v； ➢当Vin逐渐增大，P沟道晶体管截止，N沟道 场效应晶体管导通，在1.5v-3.5v期间为不 稳定区间，变化很快，最终N沟道导通，P 沟道截止，输出为低电平
sec2.2CMos逻辑门 >CMOS与非门 CMOS或非门 CMoS同向缓冲逻辑门 与-或-非门 >异或门 三态门
Sec 2.2 CMOS 逻辑门 ➢ CMOS 与非门 ➢ CMOS 或非门 ➢ CMOS 同向缓冲逻辑门 ➢ 与-或-非门 ➢ 异或门 ➢ 三态门