不同配体场中d轨道的分裂情况E=12.28DqdayE=6DaE=178DqE=2.28DqE=0Dqdy能At=4.45DgA=10Dq量17.42Dq三CE=-2.67DqE=-4DOaE=-4.28Dq四面体场ad八面体场E=-5.14Dqdd正方形场
不同配体场中 d 轨道的分裂情况 p t o
影响分裂能()的因素中心离子口电荷越高，4值越大主量子数n越大，d轨道较伸展，与配体斤力大，4值越大配体光谱化学序列II<Br<<S2-CI<SCN<F<0H~0N0~HCO0<C,021<[HO<NCS<EDTA<NH3]<en<bipy<phen<SO?<NO2<CN~CO晶体场对称性（几何构型）平面正方形场△>八面体场4。>四面体场4t
影响分裂能()的因素 o 中心离子 n 电荷越高，值越大 n 主量子数n越大，d轨道较伸展，与配体斥力大，值越大 o 配体 n 光谱化学序列 [I –<Br –<<S2-Cl–<SCN–<F–<OH–~ONO–~HCOO–<C2O4 2-] < [H2O<NCS –<EDTA<NH3] < [en<bipy <phen<SO3 2- <NO2 –<CN–~CO] o 晶体场对称性(几何构型) n 平面正方形场 p>八面体场o >四面体场t
d轨道中的电子排布电子成对能公（P）：两个电-门E子进入同一轨b道进行配对时a需要消耗的能量。E-E,+(E+40)-2E+40E=-2E+P弱场，高自旋（HS)状态a稳定，若A<P,E<Eb强场，低自旋（LS)状态b稳定，若Ao>P，E.>Eb
d 轨道中的电子排布 Ea = E0+(E0+ΔO )=2E0+ΔO Eb= 2E0+P 若ΔO<P， Ea< Eb , 状态a稳定， 弱场，高自旋(HS) 若ΔO>P， Ea >Eb , 状态b稳定， 强场，低自旋(LS) E0 a b 电子成对能 （P）：两个电 子进入同一轨 道进行配对时 需要消耗的能 量
正八面体d电子构型中心离子的电子排布eg弱场高自旋若A<P,t2geS强场低自旋若Ao>P,个V个个Vt2g[CoF]3-Ao=13000cm-1Co3+: de,t'e?P=21000cm-1Ao=23000cm-l[Co(NH3)613+t2g'eP-21000cm-l
正八面体 d6电子构型中心离子的电子排布 若ΔO<P， 弱场高自旋 若ΔO>P， 强场低自旋 [CoF6] 3- Co 3+: d 6 , ΔO ＝13000 cm-1 P=21000 cm-1 t2g 4 eg 2 [Co(NH3)6] 3+ ΔO ＝23000 cm-1 P=21000 cm-1 t2g 6 eg 0 eg t2g eg t2g
正八面体d-d组态电子排布只有一种排列a2cs门一一切机titT2231cHasdd高自旋t全15344低自旋工仙021
正八面体d1-d9组态电子排布