⊙海南大学 32半导体二极管门电路 HAINAN UNIVERSITY 2.二极管与门 3.二极管或门 R B B。 A & Y B (b) AB B 信息科学技术学院 Digital Electronics Technology 2021/2/2
Digital Electronics Technology 2021/2/2 3.2 半导体二极管门电路 2. 二极管与门 3. 二极管或门 A B Y
⊙海南大学 33CMOS门电路 HAINAN UNIVERSITY MOS门电路:以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOs门电路,尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单 集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点,得 到了十分迅速的发展。 MOs管有NMOS管和PMOS管两种。当NMOS管和 PMOS管成对出现在电路中,且二者在工作中互补,称为 CMOS管(意为互补)。MOS管有增强型和耗尽型两种。在 数字电路中,多采用增强型。 信息科学技术学院 Digital Electronics Technology 2021/2/2
Digital Electronics Technology 2021/2/2 3.3 CMOS门电路 MOS门电路：以MOS管作为开关元件构成的门电路。 MOS门电路，尤其是CMOS门电路具有制造工艺简单、 集成度高、抗干扰能力强、功耗低、价格便宜等优点，得 到了十分迅速的发展。 MOS管有NMOS管和PMOS管两种。当NMOS管和 PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为 CMOS管(意为互补)。MOS管有增强型和耗尽型两种。在 数字电路中，多采用增强型
⊙海南大学 33CMOS门电路 HAINAN UNIVERSITY 1.MOS管的开关特性V:0→R210(92) ≤106(A)≈0 (1)NMOS管的开关特性 Vas(th))→Rds≤10(92) <Rr→V Rds D接正电源D D D B G 截止 导通 O GS (b) 信息科学技术学院 Digital Electronics Technology 2021/2/2
Digital Electronics Technology 2021/2/2 1. MOS管的开关特性 3.3 CMOS门电路 D接正电源 截止 导通 （1）NMOS管的开关特性 • Vgs=0 → Rds 106 () → I 10-6 (A) 0 •Vgs Vgs(th) → Rds 10 () << RL →VRds 0
⊙海南大学 33CMOS门电路 HAINAN UNIVERSITY (2)PMOS管的开关特性 D接负电源D D B T O G G 导通 截止 信息科学技术学院 Digital Electronics Technology 2021/2/2
Digital Electronics Technology 2021/2/2 3.3 CMOS门电路 （2）PMOS管的开关特性 D接负电源 导通 截止
⊙海南大学 33CMOS门电路 HAINAN UNIVERSITY 2.CMOS反相器 A01 Z + DD PMOS 管 ⅤT 工作特点:TP和VT总是 管导通而另一管截止,流 人m过Ⅵ和ⅥT的静态电流极小 (纳安数量级),因而 CMOS反相器的静态功耗极 小。这是CMOS电路最突出 的优点之一。 信息科学技术学院 Digital Electronics Technology 2021/2/2
Digital Electronics Technology 2021/2/2 3.3 CMOS门电路 2. CMOS反相器 PMOS管 NMOS管 A Z 0 1 1 0 Z = A 工作特点：TP和VTN总是 一管导通而另一管截止，流 过VTP和VTN的静态电流极小 （ 纳 安 数 量 级 ） ， 因 而 CMOS反相器的静态功耗极 小。这是CMOS电路最突出 的优点之一