电学元件伏安特性曲线的研究实验目的实验仪器实验步骤实验原理数据处理大连海洋大学
电学元件伏安特性曲线的研究 实验目的 实验仪器 实验原理 实验步骤 数据处理 大连海洋大学
√实验目的·1.通过晶体二极管伏安特性曲线，了解半导体整流特性。·2.通过晶体二极管与电阻R串、并接时的伏安特性曲线，了解伏安特性曲线的图形相加。·3.通过比较整流二极管与稳压二极管的伏安特性，了解并区别它们的不同点。?大连海洋大学
• 1.通过晶体二极管伏安特性曲线，了解半导体 整流特性。 • 2.通过晶体二极管与电阻R串、并接时的伏安 特性曲线，了解伏安特性曲线的图形相加。 • 3.通过比较整流二极管与稳压二极管的伏安特 性，了解并区别它们的不同点。 大连海洋大学 ¾实验目的
>实验仪器1.稳压电源一台，晶体二极管两只：2.直流电压、电流表各1只；3. 电阻箱,可变电阻器各1只：4.导线若干。?大连海洋大学
大连海洋大学 1.稳压电源一台，晶体二极管两只； 2.直流电压、电流表各1只； 3.电阻箱，可变电阻器各1只； 4.导线若干。 ¾实验仪器
>实验原理1.晶体二极管的正反向伏安特性曲线U图1晶体二极管的正反向伏安特性曲线大连海洋大学
1.晶体二极管的正反向伏安特性曲线 大连海洋大学 图 1 晶体二极管的正反向伏安特性曲线 ¾实验原理
p型半导体与n型半导体互相接触时，两者之间形成阻挡层称为p-n结，该结的电场是由n区指向p区。当p一n结正向连接（即p接正，n接负）时，外电场的方向与该结原来的电场方向相反，它减弱了结的电场，使阻挡层变薄。正向电流随之迅速增大。这时通过晶体二极管两端的电压与电流的关系称为晶体二极管的正向伏安特性，如图1中的①所示。当p一n结反向连接（即p接负，n接正）时，外电场的方向与该结原来电场方向一致，使阻挡层增厚。此时，仅是少数载流子在外电场的作用下起导电作用，形成微弱的反向电流。这时通过晶体二极管两端的电压与电流的关系称为晶体二极管的反向特性，如图1中的②所示。大连海洋大学
大连海洋大学 p型半导体与n型半导体互相接触时，两者之间形成阻挡层称为p －n结，该结的电场是由n区指向p区。 当p－n结正向连接（即p接正，n接负）时，外电场的方向与该 结原来的电场方向相反，它减弱了结的电场，使阻挡层变薄。正向 电流随之迅速增大。这时通过晶体二极管两端的电压与电流的关系 称为晶体二极管的正向伏安特性，如图1中的①所示。 当p－n结反向连接（即p接负，n接正）时，外电场的方向与该 结原来电场方向一致，使阻挡层增厚。此时，仅是少数载流子在外 电场的作用下起导电作用，形成微弱的反向电流。这时通过晶体二 极管两端的电压与电流的关系称为晶体二极管的反向特性，如图1中 的②所示