N型半导体可简化为下图: ④d 自由电子 「磷原子核 另外,硅晶体会产生少量的电子空穴对。 所以N型半导体中的导电离子有两种 自由电子多数载流子(由两部分组成 空穴—少数载流子
N型半导体可简化为下图： 磷原子核 自由电子 另外，硅晶体会产生少量的电子空穴对。 所以N型半导体中的导电离子有两种： 自由电子 空穴 ——少数载流子 ——多数载流子（由两部分组成）
2.P型半导体 在4价元素晶体中掺入 少量3价元素,如硼、铟等, Ⅹ 主要载流子:空穴。 +4) +3 +4) +4) 。<
2. P型半导体 在4价元素晶体中掺入 少量3价元素，如硼、铟等， +4 +3 +4 +4 空穴 主要载流子：空穴
在P型半导体中,杂质原子由于获得一个电子 而成为一个带单位负电荷的负离子。而硅原子的共 价键由于失去一个电子而形成空穴。所以P型半导体 可简化为下图: GGG空 ◇△硼原子核 P型半导体中的导电离子有两种 自由电子—少数载流子 空穴—多数载流子(由两部分组成)
在P型半导体中，杂质原子由于获得一个电子 而成为一个带单位负电荷的负离子。而硅原子的共 价键由于失去一个电子而形成空穴。所以P型半导体 可简化为下图： P型半导体中的导电离子有两种： 硼原子核 空穴 自由电子 空穴 ——少数载流子 ——多数载流子（由两部分组成）
2.2PN结的形成及特性 P型和N型半导体中,正负电荷数相等,呈电中 P材料与一块N型材料相结合,在两料材料的交 界处将形成PN结。 1、PN结的形成之1 空间电荷区(耗尽层)—PN结 8⊙⑥e 088⊙⊕④ P区 N区 内电场
P型和N型半导体中，正负电荷数相等，呈电中 P性。型材料与一块N型材料相结合，在两料材料的交 界处将形成PN结。 1、PN结的形成： P区 N区 空间电荷区（耗尽层）——PN结 内电场 2.2 PN结的形成及特性
空间电荷区的作用: (1)阻挡多数载流子扩散 (2)促进少数载流子漂移。 扩散和漂移运动达到平衡后:扩散电流与漂移电流 相等,PN结总电流为0。空间电荷区的宽度也达到稳定
空间电荷区的作用： （1）阻挡多数载流子扩散 （2）促进少数载流子漂移。 扩散和漂移运动达到平衡后：扩散电流与漂移电流 相等，PN结总电流为0。空间电荷区的宽度也达到稳定