第三章半导体三极管及放大电路基础
第三章 半导体三极管及放大电路基础
3.1半导体三极管 ■半导体三极管的结构 三极管是通过一定制造工艺,把两个PN结结合在 起的器件。 大 高频 频率{低知功率{中 小 材料{ NPN 结构{PNP 功用∫放大 开关 多发射极
3.1 半导体三极管 n 半导体三极管的结构 三极管是通过一定制造工艺，把两个PN结结合在一 起的器件。 功用 放大 开关 功率 大 中 小 材料 硅 锗 频率 高频 低频 结构 NPN PNP 多发射极
工艺特点: 三极管结构和符号: 发射区掺杂浓度高 基区很薄且掺杂浓度低 集电极 集电结面积大 e 二氧化硅保护膜 N 集电区集电结 甚极 基区 N型硅 厚度 基N N型硅 lμm左右 发射区 发射结P型硅 e 发射极↓ c e (6) NPN三极管国D即
三极管结构和符号： 工艺特点： 发射区掺杂浓度高 基区很薄且掺杂浓度低 集电结面积大
c 集电极 集电区 集电结 基区厚度7m 基极FN 情片厚 基区 N型锰 50μmb 发射结 发射区 e e/射撮 e PNP型三极管
e e
3.1.2三极管的电流分配与放大作用 极管具有放大作用的条件:发射结加正向电压, 集电结加反向电压
3.1.2 三极管的电流分配与放大作用 三极管具有放大作用的条件:发射结加正向电压, 集电结加反向电压