2)阴离子空位及缺陷能级 化学计量配比的化合物分子式:MO2 有氧空位的氧化物的分子式:MO2x 形成非化学计量配比的化合物的原因:由温度和 气氛引起。 平衡状态,反应如下 Ti4+02=x/202(g)+Ti4+1-2xTi3+2,02-2 缺陷反应:20。=V”+2e'+O1/2(g) 出现此类缺陷的阳离子往往具有较高的化学价
化学计量配比的化合物分子式： MO2 有氧空位的氧化物的分子式： MO2-x 形成非化学计量配比的化合物的原因：由温度和 气氛引起。 平衡状态，反应如下： Ti4+ O2 = x/ 2 O2 (g)+ Ti4+ 1-2 xTi3+ 2xO2- 2-x • x 缺陷反应： 2Oo = Vo ··+2e´+O1/2(g) 出现此类缺陷的阳离子往往具有较高的化学价。 2）阴离子空位及缺陷能级
氧离子空位形成的缺陷能级 施主能级
氧离子空位形成的缺陷能级 — — — Vo · — — — Vo × __ __ __ Vo · · 施主能级
3)间隙离子缺陷 化学计量配比的化合物分子式:MO 有间隙离子的分子式:M1+O 形成非化学计量配比的化合物的原因:由气氛引起。 平衡状态,缺陷反应 ZnO=Zm×+/2O2(g) Zn:×=Zn;+e Zn:'= Zn: +e 出现此类缺陷的阳离子往往具有较低的化学价
化学计量配比的化合物分子式： MO 有间隙离子的分子式： M1+xO 形成非化学计量配比的化合物的原因：由气氛引起。 平衡状态，缺陷反应： ZnO = Zni × + / 2 O2 (g) Zni ×= Zni ·+ e´ Zni ·= Zni ··+ e´ 出现此类缺陷的阳离子往往具有较低的化学价。 3）间隙离子缺陷
形成氧离子空位的缺陷能级 M: x 施主能级 M
— — — Mi × — — — Mi · 形成氧离子空位的缺陷能级 施主能级 __ __ __ Mi · ·
552p-n结 1.p-n结的形成和杂质分布 在一块n型半导体单晶上用适当方法(合金法、扩散 法、生长法、离子注入法等)把p型杂质掺入其中 1)合金法 液体 n n n si 液体为铝硅熔融体,p型半导体为高浓度铝的硅薄层
5.5.2 p-n 结 1）合金法 液体为铝硅熔融体 ，p型半导体为高浓度铝的硅薄层 n Si AI n Si 液体 n Si p 1. p-n结的形成和杂质分布 在一块n型半导体单晶上用适当方法（合金法、扩散 法、生长法、离子注入法等）把p型杂质掺入其中