3)本征半导体的导电性 ①本征激发载流子 ②空 ③本征半导体两种载流子:自由电子空穴 ④电子空穴对 )复 空位 4)自由电子 图1-1-3空穴在晶格中的移动
3) 本征半导体的导电性 ①本征激发.载流子 ②空穴 ③本征半导体两种载流子:自由电子.空穴 ④电子-空穴对 ⑤复合
2、杂质半导体 多余电子成 为自由电子 *杂质半导体 1)N型半导体 施主杂质-(+5 ①多子-电子, 子空穴 n>>1 p ②施主杂质 图1-14N型半导体结构示意图 ③热平衡条件:np=n2 电中性条件:n=Na+p
2 、杂质半导体 * 杂质半导体 1)N型半导体 ①多子-电子, 少子-空穴 n>>p ②施主杂质 ③热平衡条件：n·p=ni 2 电中性条件：n=Nd+p
2)P型半导体 (+0)空穴 受主杂质 ①多子-空穴, 少子-电子, 图1-1-5P型半导体结构示意图 ②受主杂质 ③热平衡条件:np=n2 电中性条件:p=N+n
2）P型半导体 ①多子-空穴, 少子-电子， p>>n ②受主杂质 ③热平衡条件：n·p=ni 2 电中性条件：p=Na+n
12PN结 、PN结的基本原理 1PN结 1)PN结中载流子的运动→空间电荷区 空间电荷区 P+区 N区 ⊙9 内建电场E 图1-2-1空间电荷区的形成
一、 PN结的基本原理 1.PN结 1）PN结中载流子的运动→空间电荷区 1.2 PN结
*1漂移电流 *2扩散电流 *3动态平衡: 图1-22P+N结的内建电位差
*1 漂移电流 *2 扩散电流 *3动态平衡：