5.1金属-氧化物一半导体(MoS)场效应管 5.1.1图题5.1.1所示为 MOSFET的转移特性,请分别说明各属于何种 沟道。如是增强型,说明它的开启电压V=?如是耗尽型,说明它的夹断电 压vp=?

4.1 BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为 V=-9V,V=-6V,Vc=-6.2V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发 射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。 解:由于锗BJT的vsE≈0.2V,硅BT的vBE|≈0.7V,已知BJT的 电极B的VB=-6V,电极C的V=-6.2V,电极A的V=-9V,故电极A 是集电极

3.2PN结的形成及特性 3.2.1在室温(300K)情况下,若二极管的反向饱和电流为1nA,问它的正 向电流为0.5mA时应加多大的电压?设二极管的指数模型为i=l5(e\-1),其 中n=1,Vr=26mV

2.1集成电路运算放大器 2.1.1电路如图题2.1.1(主教材图2.1.3)所示,运放的开环电压增益 A。=10°,输入电阻7=10°,输出电阻rn=750,电源电压V.=+10V, V.=-10v。(1)求运放输出电压为饱和值时输入电压的最小幅值tp-v=?

1.2信号的频谱 1.2.1写出下列正弦波电压信号的表达式(设初始相角为零) (1)峰-峰值10V,频率10kHz; (2)有效值220V,频率50Hz;

3 . 1 辅助位和辅助位方程 3 . 2 介质中的静态场—辅助场量方程 3 . 3 导体中的静态场—稳恒电流场和稳恒电场方程 3 . 4 静态场中的导体 3 . 5 静态场的边界条件 3 . 6 静态场的能量 3 . 7 静态场的计算方法 3 . 8 静态场的应用

2 . 1 源量的定义和定律 2 . 2 静止电荷的实验定律 2 . 3 稳恒电流的实验定律 2 . 4 时变电流的实验定律

1 . 1 场的概念及其表示法 1 . 2 场的性质和描述 1 . 3 梯度、散度和旋度的比较 1 . 4 常用恒等式和公式 1 . 5 亥姆霍兹定理

电子工业出版社：《电磁场与电磁波基础教程》课程教学资源（PPT课件讲稿）第8章 综论（符果行）

7 . 1 赫兹和赫兹实验 7 . 2 振荡偶极子的辐射 7 . 3 天线的电参量 7 . 4 线形天线 7 . 5 面形天线 7．6 天线阵 7 . 7 电磁波辐射的应用